BCW70LT1G 产品实物图片
BCW70LT1G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BCW70LT1G

商品编码: BM0086035417
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
TO-236AB
包装 : 
编带
重量 : 
0.029g
描述 : 
三极管(BJT) 225mW 45V 100mA PNP SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.386
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.386
--
200+
¥0.25
--
1500+
¥0.217
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BCW70LT1G参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)45V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)215 @ 2mA,5V
功率 - 最大值225mW工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

BCW70LT1G手册

empty-page
无数据

BCW70LT1G概述

BCW70LT1G 产品概述

BCW70LT1G 是一款高性能的 PNP 型晶体管,由安森美(ON Semiconductor)公司生产。该晶体管专为低功耗应用而设计,适用于各种电子电路中的信号放大和开关控制。本文将详细介绍其主要参数、应用场景以及使用建议。

1. 基本参数

BCW70LT1G 的一些关键规格如下:

  • 类型:PNP
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):45V
  • 饱和压降 (Vce_sat):300mV(在集电极电流 500µA 和 10mA 时)
  • 最大集电极截止电流 (ICBO):100nA
  • DC 电流增益 (hFE):最小值215(在 2mA 和 5V 条件下)
  • 最大功率:225mW
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  • 安装类型:表面贴装型 (SMD)
  • 封装:TO-236AB (SOT-23-3)

2. 产品特点

BCW70LT1G 具备以下突出特点:

  • 高增益和低饱和压降:其最低电流增益达到215,使其在多种应用条件下都能保持良好的放大性能。低饱和压降确保了更高的能量效率,减少热量生成,从而提高器件的可靠性。

  • 宽工作温度范围:该器件可以在-55°C 到 150°C 的广泛温度范围内正常工作,适合在恶劣环境和多变气候下使用,尤其适用于要求严格的汽车和工业电子产品。

  • 小型化和高集成度:采用 TO-236AB/SOT-23-3 封装,使其十分适合用于需要空间最优化的布局,如便携式设备和紧凑型电子产品。

3. 应用场景

BCW70LT1G 广泛应用于以下场景:

  • 开关电路:适用于低电流信号开关,如继电器驱动和灯光控制开关。

  • 放大器电路:可用于音频频率范围内的信号放大,提供良好的增益以及线性的输出特性。

  • 传感器接口:在传感器应用中作为信号调理元件,以确保小信号能够被有效放大并传输到后续电路。

  • 电池管理系统:在电池充放电管理中作为开关或信号放大器,能够提高系统的灵活性与响应速度。

4. 使用建议

在使用 BCW70LT1G 时,建议遵循以下几点:

  • 遵循电气特性:在电路设计中,设计电流和电压时需确保不超过器件的额定值,以避免损坏和保证长寿命。

  • 散热管理:尽管该器件的功率较小,但仍需考虑周围环境的散热条件,确保其工作温度在安全范围内。

  • ** PCB 设计注意**:由于其表面贴装的性质,确保在 PCB 设计中提供足够的焊接区,并对安装角度及位置进行合理布局,以提高电路的整体性能和可靠性。

5. 结论

综上所述,BCW70LT1G 是一款功能全面、性能稳定的 PNP 晶体管,适合用于各种低功耗电子应用。其高增益、低饱和压降和广泛的工作温度范围,使其在现代电子设计中成为理想的选择。无论是作为信号放大器还是开关元件,该器件都能满足各种应用需求,并有助于提升电路的整体性能和效率。