NTMFS4C022NT1G
NTMFS4C022NT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Ta），136A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），64W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45.2nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3071pF @ 15V |
| 基本产品编号 | NTMFS4 |
NTMFS4C022NT1G手册
NTMFS4C022NT1G概述
NTMFS4C022NT1G 产品概述
产品简介
NTMFS4C022NT1G 是由安森美（ON Semiconductor）制造的一款高性能N通道MOSFET，采用先进的金属氧化物半导体技术，专为满足高效能和高可靠性要求而设计。其主要应用于开关电源、DC-DC转换器以及其他高功率和高频率的电子电路中，广泛用于消费电子、工业自动化、汽车电子及通信设备等领域。
关键特性
高电流承载能力： 该MOSFET在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）为30A，极限条件下（Tc）可达到136A，能够满足高负载需求的应用场景。这种高电流承载能力使得它在各种严苛条件下，都能保持良好的工作性能。
低导通电阻： NTMFS4C022NT1G在10V栅极驱动电压下，最大导通电阻（Rds(on)）低至1.7毫欧，能够有效降低导通损耗，大幅提升电源效率，这一特性尤为重要，尤其是在要求高效率的 DC-DC 转换器应用中。
宽工作温度范围： 该器件可以在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作，适用于极端环境下的电子应用，确保了系统在各种温度条件下的可靠性和稳定性。
高电压和功率处理能力： MOSFET 的漏源电压（Vdss）为30V，在最大功耗限制下，可在Ta条件下支持最大功率耗散达到3.1W，在Tc条件下则为64W，使其适用于高功率电路设计中。
高输入和输出特性： NTMFS4C022NT1G特有的输入电容（Ciss）在15V时为3071pF，栅极电荷（Qg）在10V时最大为45.2nC，这些参数使得其在高频开关应用中具有优秀的响应速度和短暂的开启时间，从而减少开关损耗。
小型化封装设计： 器件采用了5-DFN（5x6毫米）封装，表面贴装设计有助于节省电路板空间，同时推进了现代电子设备的小型化趋势。
兼容性与应用灵活性： 由于其广泛的特性能，使得NTMFS4C022NT1G能够兼容多种电源管理和电能转换方案，且可广泛应用于各类电源转换、马达驱动及高频开关电路等。
应用领域
由于NTMFS4C022NT1G的多项优越特性，该MOSFET适合应用于以下领域：
- DC-DC 转换器：由于其低Rds(on)和高电流承载能力，该器件是电源管理解决方案的理想选择。
- 开关电源：应用于各种开关电源设计中，有助于提高系统的效率并减少热损耗。
- 马达控制：在直流马达和无刷电机驱动中，具备很好的支持作用。
- 消费类电子产品：诸如移动设备、计算机电源等对能效有严格要求的应用中。
- 汽车电子：在电动汽车及混合动力汽车中，可以作为功率开关器件，提高电动车辆的动力系统效率。
总结
总的来说，NTMFS4C022NT1G是一款具有高电流、低导通电阻和宽工作温度范围的高效能N通道MOSFET，适合多种高要求的应用。无论是在功率管理，还是在控制系统中，其良好的电气性能和应变能力都为设计人员提供了极大的便利，是现代电子设备不可或缺的核心器件之一。