SIA400EDJ-T1-GE3
SIA400EDJ-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19 毫欧 @ 11A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 36nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1265pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 19.2W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
SIA400EDJ-T1-GE3手册
SIA400EDJ-T1-GE3概述
产品概述：SIA400EDJ-T1-GE3
SIA400EDJ-T1-GE3 是 VISHAY（威世）公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），其设计重点是满足现代电子设备在功耗、效率和温度管理方面的需求。此器件在多种应用中都能卓越表现，成为诸多电源管理及开关应用的优选。
基本参数与特性
SIA400EDJ-T1-GE3 支持的漏源电压（Vdss）最大可达 30V，这使得它在中小功率的电子应用中表现出色。其连续漏极电流（Id）最大可承载 12A，确保能够充分应对各种负载要求。器件在不同Vgs（栅极电压）下的最小导通电阻（Rds On）具有很好的性能，分别为在 2.5V 和 4.5V 驱动电压下工作。因此，即使是长时间高电流负载，其发热也可以保持在安全范围内。
该器件的导通电阻（Rds On）在 11A 和 4.5V 时最大为19毫欧，体现其优越的导电性能，这在需要高效率的电路设计中，尤其重要。SIA400EDJ-T1-GE3 在工作时的功率耗散能力高达 19.2W，这一特性使其在高功率应用中也能稳定工作。
阈值电压与输入电容
SIA400EDJ-T1-GE3 的阈值电压（Vgs(th)）最大值为 1.5V @ 250µA，确保其能够在相对较低的栅极电压下启动。同时，其输入电容（Ciss）在 Vds 为 15V 时最大值为 1265pF。这一数值对于高速开关应用至关重要，较低的输入电容意味着器件能够快速响应栅极驱动信号，从而提高开关频率并减少开关损耗。
栅极电荷与温度范围
在栅极电荷（Qg）方面，该器件在 10V 时的最大值为 36nC，这表明其对驱动电路的需求相对较低，有利于简化外部驱动电路设计。SIA400EDJ-T1-GE3 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C（TJ），能够在极端环境下保持稳定的电气性能。这使其非常适合航空航天、汽车电子及工业控制等对温度稳定性要求较高的应用场合。
封装与安装类型
SIA400EDJ-T1-GE3 采用 PowerPAK® SC-70-6 表面贴装型封装，体积小巧，适合于现代紧凑型电子设备的设计。此外，这种封装的散热性能良好，有利于提高设备的整体效能与可靠性。
应用场景
得益于以上卓越特性，SIA400EDJ-T1-GE3 广泛应用于电源管理、DC/DC 转换器、马达驱动、电池管理及其他各类功率开关电路。无论是在高效能的电力供应系统还是在需要快速响应的开关应用中，SIA400EDJ-T1-GE3 都能发挥其优势，提供稳定、可靠的性能。
总结
SIA400EDJ-T1-GE3 是一款兼具高效率、低功耗和广泛适应性的 N 通道 MOSFET。在现代电子产品不断追求高性能与小型化的背景下，这款器件凭借其出色的电气特性与宽广的工作环境适应性，成为最理想的选择之一。无论是在专用电源设计还是高性能开关电路中，SIA400EDJ-T1-GE3 都能有效提升系统的整体性能和可靠性。