SIA108DJ-T1-GE3
SIA108DJ-T1-GE3参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.6A（Ta），12A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 38 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 3.5W（Ta），19W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 | 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 545pF @ 40V | 基本产品编号 | SIA108 |
SIA108DJ-T1-GE3手册
SIA108DJ-T1-GE3概述
SIA108DJ-T1-GE3 产品概述
1. 产品简介
SIA108DJ-T1-GE3 是由Vishay Siliconix公司制造的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于其 TrenchFET® Gen IV 系列。这款场效应管以其卓越的电流处理能力和低导通电阻而著称，广泛适用于电源管理、功率转换以及各种开关应用。
2. 基本参数
- 制造商: Vishay Siliconix
- 产品系列: TrenchFET® Gen IV
- 零件状态: 有源
- FET 类型: N 通道
- 封装类型: PowerPAK® SC-70-6
- 包装: 卷带（TR）
3. 性能指标
SIA108DJ-T1-GE3 在多个关键参数上表现出色，确保其在严苛环境下的可靠性和高效能：
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下，该MOSFET的连续漏极电流达到 6.6A（空气温度）及 12A（设备温度）。这一特性使其能够在较高负载条件下稳定工作。
导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs 为 10V 时，于 Id 为 4A 的情况下，最大导通电阻仅为 38 毫欧。低导通电阻对于减少在开关过程中的功耗至关重要，帮助提升整体系统效率。
漏源/栅极电压 (Vgs): 本设备最大可承受漏源电压达到 80V，对于高电压应用具有良好的适应性。
工作温度范围: SIA108DJ-T1-GE3 的工作温度范围为-55°C 至 150°C，使其在极端环境下依然能够可靠运行，符合多种工业与消费类应用需求。
4. 电气特性与可靠性
功率耗散: 在 Ta 的情况下，SIA108DJ-T1-GE3 的最大功率耗散为 3.5W，而在 Tc 的条件下则可达到 19W，展现出极佳的散热能力。
栅极电荷 (Qg): 在 Vgs 为 10V 条件下，栅极电荷的最大值为 13nC，这个较低的栅极电荷值使得开关速度变快，有助于提高电路的响应时间，尤其在高频应用中极为重要。
输入电容 (Ciss): 在 Vds 为 40V 的情况下，输入电容最大值为 545pF，适合用于高速开关电路，减少信号延迟。
5. 应用场景
SIA108DJ-T1-GE3 的多项特性使其适合于多种应用场合，包括但不限于：
DC-DC 转换器: 无论是标准电源还是高效电源管理系统，这款 MOSFET 都可以作为高效开关元件使用。
电机驱动: 在电机控制系统中，借助其高电流处理能力与快速开关特性，提升整体驱动效率。
LED驱动电路: 本产品也适合用作 LED 驱动电路中的开关器件，以实现更好的光效和能耗控制。
便携式产品: 由于其小巧的封装和优越的性能特性，非常适合用于便携设备中，提供可持续的电源供应。
6. 结论
综上所述，SIA108DJ-T1-GE3 是一款性能优异、灵活性高的 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流输出及广泛的工作温度范围，成为众多电子应用中的理想选择。无论在消费电子还是工业设备领域，Vishay Siliconix 的这款 MOSFET 均展现出卓越的性能与可靠性。选择 SIA108DJ-T1-GE3，为您的电子设计项目提供优质的解决方案，从而实现更高的运行效率和稳定性。