类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 2.5V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 4V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 10.9V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 11A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 120W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 145pF @ 1MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-79,SOD-523 | 供应商器件封装 | SOD-523 |
1. 产品背景
在当今高度集成和高速发展的电子设备中,静电放电(ESD)问题日益突出。ESD不仅会影响到电子元器件的正常工作,还可能导致设备的永久性损坏。因此,选择合适的ESD保护器件是保证电子设备可靠性的重要环节。ESD5Z2.5T1G是ON(安森美)推出的一款高性能静电放电保护器件,专为保护敏感电子设备免受电压瞬变和静电放电以外的干扰而设计。
2. 关键参数与特性
ESD5Z2.5T1G是一款齐纳二极管类型的ESD保护装置,其工作电压范围及峰值脉冲电流特性使其在许多应用中表现优异。以下是其主要参数和特点:
反向断态电压:该器件的典型反向断态电压为2.5V(最大值可达2.5V),适合需要低电压保护的应用场景。
击穿电压:ESD5Z2.5T1G的最小击穿电压为4V,这通常是针对各种瞬态电压脉冲的重要指标。
电流和功率处理能力:其峰值脉冲电流为11A(在10/1000微秒条件下),而峰值功率可达120W,这使得该器件可以有效应对高能量的ESD事件。
电压箝位:在不同的Ipp下,其最大箝位电压达到10.9V,确保在过压事件发生时能够有效保护后端电路。
电容特性:在1MHz频率下,器件的电容值为145pF,这有助于减少信号的失真,同时提供良好的ESD保护。
工作温度范围:适应温度范围广泛,从-55°C到150°C,确保在严苛环境下的可靠性能。
安装与封装:ESD5Z2.5T1G采用表面贴装型设计,封装形式为SC-79/SOD-523,便于在现代电子设备中实现小型化、高密度布局。
3. 应用场景
ESD5Z2.5T1G广泛适用于各种电子设备中的ESD保护需求,特别是在以下领域具有明显优势:
消费电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及其他便携设备,这些产品往往对体积和重量有严格限制,ESD5Z2.5T1G的紧凑设计及高效保护性能使其成为理想选择。
工业控制系统:在工业设备和传感器中,保护敏感的控制线路不受电压瞬变的影响。
网络设备:如路由器和交换机,在高速数据传输过程中,需避免静电对信号的干扰。
汽车电子:现代汽车中越来越多的电子控制单元(ECU)需要可靠的ESD保护,以确保系统稳定性与安全性。
4. 总结
ESD5Z2.5T1G静电放电保护器件凭借其出色的性能特征和广泛的应用前景,为设计工程师在选择适合的ESD解决方案时提供了可靠的选择。其兼具低电压保护特性、强大的能量处理能力和小型化设计,符合现代电子产品日益增加的保护需求。无论是消费类电子、工业设备还是汽车电子,ESD5Z2.5T1G都提供了优越的静电放电保护,有助于提高设备的可靠性和寿命。