晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 25mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 25 @ 4mA,10V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 450MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
BF824,215 是一款由安世半导体 (Nexperia) 设计和生产的PNP型双极结晶体管 (BJT),其特别设计以满足广泛的电子应用需求。这款晶体管的高性能特性使其非常适用于低功耗设备和频率敏感的应用场景。BF824,215 的封装类型为SOT-23-3,适合表面贴装,便于在现代电子设备中进行集成和安排。
电流和电压特性
BF824,215的最大集电极电流为25mA,适合驱动较小功率的负载,其最大集射极击穿电压为30V,确保了在大多数低电压设备中的安全性。此外,ICBO值仅为50nA,表明其在截止状态下的泄漏电流非常小,这对于低功耗设计来说至关重要。
增益特性
这款晶体管的最小DC电流增益(hFE)为25,在4mA的基极电流和10V的工作电压下能够提供良好的放大能力,适合用于模拟信号处理和小信号放大电路。
功率和频率能力
最大功耗为250mW,意味着BF824,215在保持高效率的同时,能够在适用于多种应用场景中提供可靠的性能。此外,450MHz的跃迁频率使其适合用于高频应用,比如射频放大器和开关电路。
BF824,215 适合应用在多种电子设备中,具体包括:
采用SOT-23-3封装,BF824,215 优化了空间占用,适合现代电子电路的紧凑设计。表面贴装特性简化了自动化制造过程,降低了组装成本,提高了生产效率。
BF824,215 是一款高性能PNP型晶体管,具有小体积、优质性能和广泛的应用潜力。其设计旨在满足市场对高集成度、低功耗设备的需求,适合各种低功率放大、信号切换和音频处理应用。借助安世半导体对品质的严格把控及优秀的研发能力,BF824,215 在稳定性和可靠性方面提供了强有力的支持,为设计师在设备设计时提供了更多的灵活性和选项。