DF2S6.2FS,L3M(T 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DF2S6.2FS,L3M(T

商品编码: BM0084434281
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
SOD-923-2
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
静电和浪涌保护(TVS/ESD) DF2S6.2FS,L3M(T SOD-923
库存 :
1(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.316
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.316
--
500+
¥0.211
--
5000+
¥0.183
--
10000+
¥0.164
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DF2S6.2FS,L3M(T参数

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DF2S6.2FS,L3M(T手册

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DF2S6.2FS,L3M(T概述

DF2S6.2FS,L3M(T) 产品概述

1. 产品背景

在现代电子设备中,静电放电(ESD)和浪涌电流的保护变得日益重要。静电放电是指两个物体之间因电势差而发生的突然放电现象,这可能造成电路元器件的损坏甚至设备的完全失效。因此,采用有效的静电和浪涌保护器件至关重要。DF2S6.2FS,L3M(T) 是东芝(TOSHIBA)推出的一款专门用于此目的的瞬态电压抑制二极管(TVS)。

2. 主要特性

DF2S6.2FS,L3M(T) 是一种具有以下主要特性的TVS/ESD保护器件:

  • 双向设计:该器件采用双向结构,能够保护电路的正负两个方向的浪涌电流,增加了应用灵活性,并可在多种电路配置中使用。

  • 瞬态响应快:DF2S6.2FS,L3M(T) 能够在极短的时间内响应电压突变,对突发的电压尖峰提供迅速的抑制,迅速将过压抑制到安全范围。

  • 低击穿电压:该器件具有较低的击穿电压,适合保护低压电子设备,有效防止设备内部组件因过压而受损。

  • 高功率处理能力:具备较高的峰值脉冲功率能力,可处理多次和高幅度的浪涌电流,确保在危急情况下也能保持良好的保护性能。

  • 小型化封装:DF2S6.2FS,L3M(T) 采用SOD-923-2封装,体积小巧,便于集成到空间有限的电子设备中。

3. 应用领域

DF2S6.2FS,L3M(T) 被广泛应用于多个领域,例如:

  • 消费电子:手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中,维护其电子部件免受瞬态电压脉冲破坏。

  • 工业设备:在各种工业控制系统中,保护传感器和控制电路,确保其稳定性和可靠性。

  • 通信设备:保护网络设备如路由器、交换机等,延长设备使用寿命,降低维护成本。

  • 汽车电子:随着汽车向电子化、智能化发展,DF2S6.2FS,L3M(T) 也被用于汽车电子系统中,保护关键电子部件,确保安全运行。

4. 性能参数

DF2S6.2FS,L3M(T) 的一些关键性能参数包括但不限于:

  • 工作电压(VWM):6.2V
  • 击穿电压(VBR):8.0V - 9.6V
  • 峰值脉冲功率(PPP):1500W(对于单脉冲)
  • 反向泄漏电流:非常小
  • 工作温度范围:-55°C 到 +125°C
  • 回流焊工艺适应性:符合RoHS标准,适用于焊接和组装过程。

5. 结论

DF2S6.2FS,L3M(T) 作为东芝推出的高性能静电和浪涌保护器件,以其优异的电气特性、快速的响应时间和小型化的封装,成为电子工程师设计电路时的理想选择。无论是在消费产品、工业制造还是汽车电子中,它都可以有效地保护设备免受突发电压的损害,提升系统的稳定性与可靠性。其广泛的应用前景和确保设备安全的能力,使其在市场上保持竞争力。在选择静电与浪涌保护方案时,DF2S6.2FS,L3M(T) 是值得信赖的解决方案。