通道数 | 2 | 电压 - 隔离 | 2500Vrms |
电流传输比(最小值) | 100% @ 10mA | 接通 / 关断时间(典型值) | 3µs,2.8µs |
上升/下降时间(典型值) | 1.6µs,2.2µs | 输入类型 | DC |
输出类型 | 晶体管 | 电压 - 输出(最大值) | 70V |
电流 - 输出/通道 | 150mA | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 1.25V |
电流 - DC 正向 (If)(最大值) | 60mA | Vce 饱和压降(最大) | 400mV |
工作温度 | -40°C ~ 100°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
产品简介
MOCD213R2VM是由ON Semiconductor(安森美)制造的一款晶体管输出光耦合器,采用了高性能的光电隔离技术,特别设计用于各种工业和消费类电子设备中,以实现信号的隔离和传输。在现代电子系统中,光耦合器的应用至关重要,它们能够有效保护敏感电路,并降低电磁干扰。MOCD213R2VM具备出色的性能参数和灵活的应用场景,适合多种条件下的操作。
基础参数
MOCD213R2VM具有两个通道的设计,能够在保持紧凑的封装尺寸的同时,实现高效的信号传输。其电压隔离等级达到了2500Vrms,确保了强电与弱电之间的良好隔离,这对用户设备的安全极为重要。此外,该器件的电流传输比在10mA时可达到100%,使其在低输出电流下能够保持良好的性能。
动态特性
在动态响应方面,MOCD213R2VM具有出色的接通和关断时间,典型值分别为3µs和2.8µs。这意味着该光耦能够迅速响应输入信号的变化,并有效地控制输出变换。同时,其上升和下降时间分别为1.6µs和2.2µs,确保了在高速信号传输中不出现显著延迟。
电气特性
在电气特性方面,MOCD213R2VM的输出最大电压可达70V,输出电流可达150mA,使其能够驱动负载设备,尤其适合在继电器驱动、逻辑电平转换及信号隔离等场景中使用。其正向电压(Vf)典型值为1.25V,表明其在正常工作情况下的耗电量较低,适应于低功耗应用。
工作环境
MOCD213R2VM的工作温度范围在-40°C到100°C,这使得它能够在广泛的环境条件下稳定工作,非常适合需要耐高温或低温操作的应用场景。因此,无论在工业控制、测量设备、家电或汽车电子产品中,MOCD213R2VM都能提供可靠的性能。
封装与安装
该光耦采用8-SOIC封装,体积小巧且便于表面贴装,能够满足现代电子设备对空间优化的需求。在实际应用中,8-SOIC封装使得设计工程师可以更加灵活地进行电路设计、布局和布线。这种封装不仅提高了整体电路的集成度,而且简化了生产工艺。
应用场景
MOCD213R2VM的广泛应用前景使其成为信号隔离、开关控制及数据传输等多个领域的理想选择。其在自动化控制系统、工控设备、电源管理、通信系统及售货机控制等领域都有着显著的应用效果。
总结
综上所述,MOCD213R2VM是一款高性能的晶体管输出光耦合器,具备优异的电气参数、良好的动态响应、宽广的温度适应性和紧凑的封装设计,使其成为电子行业中不可或缺的一部分。ON Semiconductor凭借其卓越的技术和可靠的品质,将这一产品制造得足以满足严格的工业应用需求。无论是在设计、开发还是生产中,MOCD213R2VM都将为工程师和设计师提供强大的支持与保障。