功率(Pd) | 160W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 131pF@75V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@4.5V,20A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 137nC@75V |
漏源电压(Vdss) | 150V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 7.65nF@75V | 连续漏极电流(Id) | 25A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
NCE15P25JK是一款由新洁能(NCE)公司生产的高性能N沟道MOSFET,广泛应用于电子电路中。其独特的设计和规格特点使其在多种应用中表现出色,尤其是在功率管理和开关电源领域。
NCE15P25JK采用TO-252-2L封装,这种封装形式不仅支持较高的功率输出,而且具有良好的散热性能,适合在较高温度和高功率条件下工作。该器件主要用于中高压电源系统,可以在各种电气和电子设备中提供可靠的开关控制,例如DC-DC转换器、电源管理IC与电机驱动电路等。
NCE15P25JK具有以下主要电气参数:
NCE15P25JK广泛应用于多个领域,其主要应用场景包括但不限于:
NCE15P25JK相比于其他同类产品,具有以下几方面的性能优势:
NCE15P25JK是一款功能强大、可靠性高的N沟道MOSFET,凭借其卓越的电气性能与广泛的应用场景,成为现代电子电路中不可或缺的关键组件。适合寻找高效电源管理解决方案的设计工程师,它在环境温度高、功率要求大的领域内展现了独到的价值。
通过合理选用NCE15P25JK,设计师能够实现更高的系统性能和效率,满足日益增长的市场需求。无论是在高频电源还是电机驱动领域,NCE15P25JK都将为您的项目提供强有力的支持和保障。