FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 37 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20nC @ 5V |
Vgs(最大值) | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 710pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 57W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
IRLR3105TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,由全球领先的半导体制造公司 Infineon(英飞凌)生产。该器件设计用于高效能的开关应用,广泛适用于电源管理、马达驱动、汽车电子及其他需求较高的电子设备。IRLR3105TRPBF 提供了出色的导通性能和可靠的电气特性,非常适合用于各种开关电源、DC-DC 转换器及功率放大器等电路中。
基本特性
导通特性
栅极特性
电容特性
功率与热管理
安装与封装
IRLR3105TRPBF 主要应用于以下领域:
IRLR3105TRPBF 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,通过其卓越的电气性能和广泛的应用范围,为设计工程师提供了更高的设计灵活性。其低导通电阻、优异的热管理特性以及适应恶劣环境的能力,使其成为高功率应用领域中的理想选择。无论是电源管理、马达控制还是汽车电子,IRLR3105TRPBF 都能够满足现代电子设计的各种需求,是高性能开关应用的可靠选择。