NCE40TD65BT 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE40TD65BT

商品编码: BM0084417180
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-247
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
10(起订量1,增量1)
批次 :
25+
数量 :
X
8.11
按整 :
管(1管有600个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥8.11
--
10+
¥6.77
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE40TD65BT参数

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NCE40TD65BT手册

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NCE40TD65BT概述

NCE40TD65BT 产品概述

基本信息

NCE40TD65BT 是新洁能(NCE)推出的一款强大的功率MOSFET,封装形式为TO-247。这款器件设计用于高性能开关电源及电机驱动应用,能够满足现代电子设备对效率、散热和功能集成的需求。

技术规格

  • 类型:NMOS(N型金属氧化物半导体)
  • 最大解析电压(V_DS):650V
  • 最大连续电流(I_D):40A
  • 栅极阈值电压(V_GS(th)):通常10V
  • 导通电阻(R_DS(on)):低开关损耗
  • 封装形式:TO-247,适合高功率应用,提供良好的散热性能

应用场景

NCE40TD65BT MOSFET广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源:用于电源转换器、直流-直流转换器(DC-DC)、逆变器等。
  2. 电机驱动:在交流和直流电机的速度控制和启动应用中展现出可靠性和高效性。
  3. 太阳能逆变器:在可再生能源应用中的关键角色,提供高效的电流转换。
  4. 高功率放大器:适用于各种高频率放大器和射频应用。

关键特性

  1. 高效能:NCE40TD65BT 具有较低的导通电阻(R_DS(on)),能显著降低开关损耗和导通损耗,以提高整体能效。这对于需要高效率的电源转换或电机驱动电路尤其重要。

  2. 高耐压:该器件的最大耐压为650V,使得它在高压应用中同样表现出色,能够承受瞬态电压和高电流环境下的压力。

  3. 优良的热性能:采用 TO-247 封装,该器件能够提供良好的热管理,适合在高功率场合中使用,能够有效散热,延长使用寿命。

  4. 快速开关能力:NCE40TD65BT 支持快速开关操作,适合高频率应用,可以减少开关延迟,并提高系统的响应速度。这一特性对于电源转换和电机控制的动态性能非常重要。

散热管理

在高功率应用中,散热是一个至关重要的因素。NCE40TD65BT 的TO-247封装设计为器件的散热提供了良好的条件,能够有效配合散热器进行热量的传播。此外,适当的PCB设计和散热管理措施能够进一步优化该器件的性能。

性能优势

  1. 高可靠性:得益于新洁能先进的制造工艺和严格的质量控制,NCE40TD65BT MOSFET 在长期运行中展示出良好的可靠性,能有效抵御环境变化对性能的影响。

  2. 经济适用:与同类产品相比,该器件提供了出色的性能价格比,适合大规模生产使用,能够满足市场对成本效益的要求。

结论

NCE40TD65BT MOSFET 是高电压、高电流应用中的理想选择,凭借其卓越的性能和广泛的适用性,它在开关电源、电机驱动和可再生能源等领域都展现出巨大的潜力。凭借其强大的功率处理能力和高效率,NCE40TD65BT 为设计师提供了更多的设计灵活性和提高系统整体性能的机会。