si2304a 产品实物图片
si2304a 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

si2304a

商品编码: BM0084416116
品牌 : 
UMW(广东友台半导体)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.525
按整 :
-(1-有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.525
--
200+
¥0.339
--
1500+
¥0.295
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

si2304a参数

empty-page
无数据

si2304a手册

empty-page
无数据

si2304a概述

产品概述:SI2304A

SI2304A是一款由UMW(广东友台半导体)生产的高性能N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),采用SOT-23封装。该器件广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器及其他需要高效率和高开关速度的电路中。由于其优异的电气特性和紧凑的封装设计,SI2304A成为各类移动设备、消费电子、工业控制和电池供电设备的理想选择。

主要特性

  1. 器件类型: N沟道MOSFET
  2. 封装类型: SOT-23
  3. 极低的导通电阻: SI2304A在大于其驱动电压时表现出极低的R_DS(on),从而减少能量损耗,提高整体效率。
  4. 快速开关速度: 该器件具有良好的开关特性,适用于高频开关应用,能显著降低开关损失。
  5. 高电流承载能力: SI2304A能够承受较高的漏电流,适合各种负载条件下工作。
  6. 工作温度范围广: 它的工作温度范围从-55℃到+150℃,能够在恶劣的环境条件下稳定工作。
  7. 栅极电压驱动范围大: SI2304A的栅极驱动电压范围广,使其易于与多种控制电路兼容。

电气特性

  • 最大漏极电流 (I_D): 该MOSFET的最大漏极电流为负载的选择提供了灵活性,适合各种应用要求。
  • 最大漏极源极电压 (V_DS): 适合中等电压应用,这一特性使其可用于汽车、工业和其他大功率设备。
  • 导通电阻 (R_DS(on)): 在V_GS = 10V时,其导通电阻非常低,这使其在高电流情况下仍能保持良好的效率。
  • 栅极阈值电压 (V_GS(th)): 适中的栅极阈值电压使该组件可以与低电平信号兼容,从而于多种控制逻辑适配。

应用领域

  1. 电源管理: SI2304A常用于高效的电源转换器中,如AC-DC和DC-DC转换器,在开关电源和线性稳压器电路中作为主要开关器件。
  2. 负载开关: 其低导通电阻和高开关速度使其成为优选的负载切换开关,适用于LED驱动和电源管理模块。
  3. 汽车电子: 该器件也在汽车应用中表现出色,适合用于电动助力转向、电池管理和灯光控制等系统。
  4. 可穿戴设备与消费电子: 得益于其小巧的SOT-23封装,SI2304A也非常适合用于移动设备和其他便携式电子产品中的功率调节和负载管理。

设计注意事项

在设计过程中,工程师需要关注MOSFET的热管理,确保设备在其最大功率限制范围内工作。此外,正确的驱动电路设计也能够有效提高器件的开关效率,并减少电磁干扰(EMI)问题。在PCB布局方面,应尽量缩短栅极驱动信号的路径,使用合适的过孔和电源轨,以此减少导通损耗和提高整体系统的稳定性。

结论

SI2304A作为一款性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其优秀的电气特性、小巧的封装及广泛的应用前景,已成为现代电子设计中的热门选择。其高效能和可靠性使其在快速发展的电子市场中占据了一席之地,为设计工程师在多样化的应用场景中提供了灵活的解决方案。