NCE65T360 产品实物图片
NCE65T360 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE65T360

商品编码: BM0084416102
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-220
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 101W 650V 11.5A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.27
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.27
--
50+
¥2.51
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE65T360参数

功率(Pd)32.6W反向传输电容(Crss@Vds)1.8pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)360mΩ@10V,7A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V
漏源电压(Vdss)650V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)870pF@50V连续漏极电流(Id)11.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

NCE65T360手册

empty-page
无数据

NCE65T360概述

NCE65T360 产品概述

NCE65T360是一款高性能的N沟道MOSFET,具有650V的高耐压和11.5A的额定电流。这款场效应管采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、功率管理、电机驱动及其他需要高效率和高功率的电路中。以下将对其主要特性、应用场景及使用注意事项进行详细介绍。

1. 主要特性

  • 高耐压: NCE65T360具有650V的耐压能力,使其能够处理高电压应用而不发生击穿,这在现代电子设备中至关重要。

  • 适中电流: 其11.5A的额定电流适用于多种中高功率应用。这一参数确保在不同的工作环境下,能够稳定、可靠地传导电流。

  • 低导通电阻: 该MOSFET具备较低的导通电阻(R_DS(on)),意味着在工作时有效的降低了功耗和发热,有利于提高整个电源系统的效率。

  • 快速开关速度: NCE65T360在开关操作中的性能表现优异,具备较快的上升/下降时间(t_r和t_f),使其适合于高频率开关电源和逆变器等应用。

  • 热性能良好: 由于采用TO-220封装,NCE65T360能够有效地散热,增强了其在高功率应用中的稳定性和持久性。

2. 应用场景

NCE65T360的设计使其适用于多种应用场景:

  • 开关电源: 在AC-DC转换器和DC-DC变换器中,NCE65T360由于其高效率和快速开关特性,能够有效提升电源转换效率,从而减少能量损耗。

  • 电机控制: 在电机驱动系统中,该MOSFET可以作为开关元器件,控制电机的启停及调速。特别是在需要高起始扭矩和精确控制的应用中,NCE65T360的稳定性和可靠性至关重要。

  • 照明控制: 在LED驱动电源及灯光调光系统中,其低功耗表现使得NCE65T360成为理想选择,可以实现高亮度、低能耗的照明效果。

  • 家电产品: 许多现代家电如洗衣机、冰箱和空调等,均需使用高效的电源管理系统,NCE65T360在这些产品中的应用显著提高了能效。

3. 使用注意事项

在使用NCE65T360时,需注意以下事项:

  • 散热管理: 尽管TO-220封装能够良好散热,但在高功率应用时,建议加强散热设计,确保MOSFET运行在安全温度范围内,以避免过热导致的失效。

  • 驱动电压: 确保MOSFET的栅极驱动电压适当,栅极驱动电压过低可能导致MOSFET无法充分导通,影响性能;而过高的电压可能会造成栅极击穿。

  • 工作频率: 在高频应用中,应仔细分析开关损耗,选择合适的驱动电路以降低开关噪声,提高电路的总体效率。

  • 防护措施: 在高压应用中,采用适当的保护电路,以防止反向电流和过压对MOSFET造成损坏。

4. 结论

总之,NCE65T360是一款优秀的N沟道MOSFET,其650V的耐压和11.5A的额定电流使其广泛适用于各种高效率电源和驱动应用。凭借其低导通电阻、快速开关速度以及良好的散热性能,NCE65T360对提升电子设备的性能和能效有着显著的帮助。合理的使用和设计将使其充分发挥出优秀的性能,满足现代电子产品对高效能和可靠性的苛刻要求。