存储器格式 | 闪存 | 存储容量 | 256Mb (32M x 8) |
电压 - 供电 | 1.65V ~ 1.95V | 时钟频率 | 104MHz |
存储器接口 | SPI - 四 I/O, QPI, DTR | 安装类型 | 表面贴装型 |
工作温度 | -40°C ~ 105°C(TA) | 技术 | FLASH - NOR |
写周期时间 - 字,页 | 800µs | 存储器类型 | 非易失 |
IS25WP256D-JLLE 是一款由美国芯成(ISSI)公司推出的高性能闪存存储器,采用了先进的NOR FLASH技术,广泛应用于嵌入式系统、物联网设备、汽车电子、工业控制等多个领域。其主要特点及优势如下:
IS25WP256D-JLLE 的存储容量为256Mb(32M x 8),能够满足不同类型数据的存储需求。其闪存格式使其在读取和写入数据时具备较高的效率,适合用于需要高速度和高频率数据存取的应用。
该器件工作电压范围为1.65V至1.95V,适应低功耗设计需求,非常适合于移动设备和长时间运行的嵌入式应用。同时其宽广的工作温度范围(-40°C至105°C)使其在极端环境下也能稳定运行,符合工业级应用的要求。
IS25WP256D-JLLE 的时钟频率可达到104MHz,能够支持高速度的数据传输。其写周期时间为800µs,确保了在多种应用场景中的高效写入。该器件支持SPI、四线I/O、QPI和DTR接口,用户可以根据系统设计需求,灵活选择合适的接口方式与主控芯片进行通讯。
作为一款非易失性存储器,IS25WP256D-JLLE 在断电后仍能保持存储数据。NOR FLASH技术的应用使其在读取时具备随机访问能力,适合存储需快速读取的代码或数据。此外,该存储器的高可靠性和长寿命特性,使其成为需要频繁读写操作的应用场合的优选方案。
IS25WP256D-JLLE 采用WSON-8-EP(6x8mm)封装,尺寸小巧,有利于节省电路板空间。表面贴装型(SMD)设计便于自动化生产和组装,提升了生产效率。
得益于其高性能和广泛的工作环境适应性,IS25WP256D-JLLE 可广泛应用于以下领域:
综上所述,IS25WP256D-JLLE 以其出色的性能、适应性及高可靠性,在众多应用场景中表现卓越,满足现代电子设备对存储器的多样化需求。无论是在温度极端的工业环境,还是在追求低功耗和高效率的消费电子产品中,此款闪存存储器都将成为设计工程师的重要选择。