PESD5V0U1BA-N

PESD5V0U1BA-N 产品概述

基本信息

PESD5V0U1BA-N 是一款由著名半导体品牌 BORN（伯恩半导体）推出的双向静电放电（ESD）保护器件，具有双向工作特性。其封装类型为 SOD-323，适用于各种小型电子设备，尤其是在空间有限的应用场景中表现卓越。

产品特点

1. 双向ESD保护：PESD5V0U1BA-N 设计用于提供对高电压静电放电事件的双向保护，能够有效抵御来自电源或信号线的正反向瞬态峭壁，确保设备的稳定性和可靠性。

2. 低击穿电压：该器件的击穿电压在 5V（最大）左右，这使其成为低电压应用中的理想选择，尤其适用于保护敏感电子元器件如微控制器、传感器和通信接口。

3. 快速响应时间：与传统的保护器件相比，PESD5V0U1BA-N 具有更快的响应时间，对电压尖峰具有极佳的抑制能力，从而有效降低对后续电路的冲击。

4. 小型封装：SOD-323 封装设计，体积小巧，适合在高密度 PCB 布局中使用。这使得 PESD5V0U1BA-N 可以在不占用过多空间的情况下提供可靠的 ESD 保护。

5. 高耐压能力：该器件可以承受的最大瞬态电压高达 30kV（接触放电）和 15kV（空气放电），这使其在面临严峻的电磁干扰环境时仍能展示出优良的性能。

应用领域

PESD5V0U1BA-N 的特点使其适用于多个行业和场景，包括但不限于：

1. 消费电子：用于保护手机、平板电脑和笔记本电脑等高科技消费产品中的数据接口和电源模块。

2. 通信设备：为网络设备、路由器和交换机等提供对信号线的 ESD 保护，确保信号通畅，防止瞬态干扰。

3. 工业应用：在各种工业控制设备和监测仪器中，保护传感器和控制器免受静电放电损坏，保障设备正常运行。

4. 汽车电子：在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统和自动驾驶应用，保护传感器和数据传输接口，确保行车安全和信息完整性。

性能参数

• 工作温度范围：-55°C 到 +125°C
• 存储温度范围：-55°C 到 +150°C
• 静电放电耐受等级：IEC 61000-4-2
• 电流承受能力：最大峰值脉冲电流可达 8A

结论

PESD5V0U1BA-N 作为一款优质的双向ESD保护器件，凭借其高效的性能、紧凑的封装和广泛的应用性，已经成为现代电子设备中不可或缺的保护元件。随着电子技术的不断进步和应用的日益复杂，PESD5V0U1BA-N 为设备提供了可靠的防护解决方案，帮助电子设计工程师在日益严苛的环境中打造更加安全和稳定的产品。选择 PESD5V0U1BA-N，便是选择了安全与稳定并存的电子设计方案。