商品分类 | NOR FLASH | 块擦除时间(tBE) | 150ms@(32KB) |
存储容量 | 8Mbit | 工作温度 | -40℃~+85℃ |
工作电压 | 2.7V~3.6V | 接口类型 | SPI |
数据保留 - TDR(年) | 20年 | 时钟频率(fc) | 133MHz |
页写入时间(Tpp) | 400us |
GD25Q80ESIG 产品概述
GD25Q80ESIG是来自北京兆易创新(Gigadevice)的一款高性能NOR Flash存储器,具有多种先进特性和优良的应用适应性。该产品采用SOP-8-208mil封装,适合于各种电子设备中的嵌入式存储解决方案。其主要参数和特性如下:
高速性能: GD25Q80ESIG支持高达133MHz的读出速度,能够迅速存取数据,提高整体系统的运行效率。此特性使其在对数据存取速度要求较高的应用场合中表现出色,如音频、视频处理以及各种实时数据操作。
广泛的工作温度范围: 具备-40℃至+85℃的工作温度范围,GD25Q80ESIG适用于恶劣环境下的应用,广泛应用于工业控制、汽车电子及其他需要耐高温或低温的场合。这使得该存储器在各种电气产品中都能稳定工作。
低功耗设计: 该芯片在工作和待机状态下均能保持低功耗,这对于移动设备及电池供电的产品至关重要。低功耗特性不仅能延长设备的使用时间,同时也有助于降低系统的整体功耗。
多种读写模式: GD25Q80ESIG支持多种读写模式,包括单倍速(MISO)、双倍速(DIO)以及四倍速(QIO)等,因此可根据不同的应用需求灵活选择读写模式,进一步提高数据传输速率。
强大的耐用性: 本产品具备强大的写入和擦除耐受性,典型的写入和擦除周期高达10万次,这使得GD25Q80ESIG非常适合用于需要频繁数据更新的领域,如固件存储和数据日志。
GD25Q80ESIG因其优异的性能和稳定性,被广泛应用于多个领域:
GD25Q80ESIG是一款性能可靠、具备高读写速度和优良耐用性的NOR Flash存储器,适合多种工业与消费类电子产品的存储需求。其广泛的工作温度范围和低功耗特性使其能够适应各种复杂的运行环境,是电子产品设计中不可或缺的存储解决方案。随着智能设备和物联网的发展,对高性能存储器的需求逐渐增长,GD25Q80ESIG凭借其出色的特性和性能,必将在未来的电子应用中发挥重要作用。