通道数 | 1 | 电压 - 隔离 | 13900VDC |
电流传输比(最小值) | 50% @ 10mA | 电流传输比(最大值) | 300% @ 10mA |
接通 / 关断时间(典型值) | 5µs,3µs | 上升/下降时间(典型值) | 2.4µs,2.7µs |
输入类型 | DC | 输出类型 | 晶体管 |
电压 - 输出(最大值) | 32V | 电流 - 输出/通道 | 50mA |
电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 1.25V | 电流 - DC 正向 (If)(最大值) | 75mA |
Vce 饱和压降(最大) | 300mV | 工作温度 | -55°C ~ 85°C |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 4-DIP |
CNY66是一款高性能的光隔离器,采用晶体管输出技术,专为要求高电压隔离和低功耗的应用而设计。这款光耦合器具有独特的电压隔离能力和出色的传输特性,使其在多个领域具有广泛的应用潜力。
CNY66适用于多种电子应用场景,包括:
CNY66的设计考虑到了多种性能指标:
使用CNY66时,建议根据具体的应用场景和要求合理选择输入/输出电流。在应用过程中,特别是负载电流接近最大值时,需要仔细考虑热稳定性和防护措施,以避免潜在的损坏风险。此外,关于光耦的输入信号源应确保其电压与电流在器件规范的范围内,避免因误操作导致的光耦失效。
综上所述,CNY66作为一个高隔离电压、优异电流传输比和快速响应时间的光耦合器,展现出了其在复杂电气环境中的稳定性能以及在各类应用中的广泛适用性。凭借其出色的工作性能和可靠的安全特性,CNY66无疑是现代电子设备中不可或缺的一部分。相关设计者和工程师应充分利用其特性,以实现最佳的电路设计和产品性能。