CSD15571Q2
CSD15571Q2参数
| 制造商 | Texas Instruments | 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 6-SON（2x2） | 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.7nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 419pF @ 10V | 基本产品编号 | CSD1557 |
CSD15571Q2手册
CSD15571Q2概述
CSD15571Q2 产品概述
一、产品概述
CSD15571Q2 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款高效能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），属于其 NexFET™ 系列。该 MOSFET 产品采用先进的封装技术，具有出色的电气性能和热管理能力，适用于多种现代电子应用。
二、基本规格
- 制造商: 德州仪器（Texas Instruments）
- 系列: NexFET™
- 零件状态: 有源
- 封装类型: 6-WDFN 裸露焊盘 (6-SON, 2x2mm)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 功率耗散: 最大值 2.5W
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 电流 - 连续漏极 (Id): 22A @ 25°C
三、电气性能
CSD15571Q2 的设计允许在不同的栅极-源极电压（Vgs）下，展现出良好的导通电阻（Rds(on)）。在 10V 的条件下，最大导通电阻为 15毫欧，确保了优秀的电力传输效率。此外，在不同电流（Id）条件下，Vgs(th)（阈值电压的最大值）为 1.9V，这使得此器件在较低的驱动电压下也能有效工作。
- 驱动电压: 4.5V（额外参数），10V (最大 Rds On)
- 最大 Rds On: 15 mΩ @ 5A, 10V
- 栅极电荷（Qg）: 最大 6.7nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大 419pF @ 10V
四、应用场景
CSD15571Q2 的低导通电阻和卓越的载流能力使其成为多种应用场景的理想选择，包括但不限于：
电源管理: 适用于 DC-DC 转换器、负载开关等电源管理设备，在以最低的损耗提高系统能效的同时，提供稳定的电源。
电动汽车: 在电动汽车的电机驱动和电池管理系统中，可实现较高的功率密度，提升整体性能。
通信设备: 在各种通信基站和无线设备中，CSD15571Q2 能够高效地处理信号，并降低功耗，提升热稳定性。
消费电子: 在智能手机、平板电脑和其他便携设备中，采用高效的功率开关技术，以确保更长的电池寿命和更好的热管理。
五、设计优势
CSD15571Q2 所采用的6-WDFN封装提供了出色的散热性能，并使得电路设计更为紧凑。由于其增强的耐热能力和广泛的工作温度范围，该产品能够在严苛的环境下稳定工作，满足现代行业对高可靠性和高效能的需求。
六、总结
综上所述，CSD15571Q2 是一款具有优异特性和广泛应用可能性的N沟道MOSFET。凭借其卓越的电气性能、出色的热管理能力、以及坚固的结构设计，CSD15571Q2 无疑是电子设备工程师和设计师在追求高效能、多应用要求时的首选元件。随着技术的进步和应用的多样化，该型号的期待将会不断增长，成为推动现代电子技术发展的重要力量。