驱动配置 | 高压侧或低压侧 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 6V,9.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 250mA,500mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 80ns,40ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 供应商器件封装 | 16-SOIC |
IR2112SPBF 是一种高性能的双通道栅极驱动器,用于驱动高压 N 沟道 MOSFET 和 IGBT 的半桥配置。该产品由英飞凌 (Infineon) 提供,广泛应用于电机控制、开关电源、逆变器以及其它需要高效、高压开关的场合。IR2112SPBF 的设计优化了栅极驱动性能,同时提供了强大的保护功能,确保了系统的稳定性和可靠性。
IR2112SPBF 适用于多种应用场景,包括但不限于:
相较于市场上其他同类产品,IR2112SPBF 以其出色的性能和可靠性立足,尤其在高温和高压环境下表现卓越。此外,由于其灵活的配置和多功能的驱动特性,IR2112SPBF 是多种应用中的理想选择,为电网和电力电子系统提供稳定的解决方案。
总体而言,IR2112SPBF 是一款功能强大、可靠性高的高压栅极驱动器,能够支持多种类型的功率开关器件,适用于丰富的应用场景。它的设计兼顾了性能和兼容性,使其在更多复杂且要求严格的电气应用中都能表现优异。对于研发和设计人员而言,IR2112SPBF 是极具价值的选择,能够显著提升系统的整体效率和稳定性。