NTD14N03RT4G
NTD14N03RT4G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 95 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.04W（Ta），20.8W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.8nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 115pF @ 20V |
| 基本产品编号 | NTD14 |
NTD14N03RT4G手册
NTD14N03RT4G概述
产品概述：NTD14N03RT4G
NTD14N03RT4G是一种高性能N通道MOSFET，由知名半导体制造商ON Semiconductor（安森美）生产。此器件专为各种电子应用设计，特别是在需要高效功率管理和开关控制的场景下。它采用DPAK封装，便于表面贴装（SMD），为用户提供了更高的设计灵活性和系统集成度。
1. 关键参数
1.1 电气特性
NTD14N03RT4G在25°C时具有持续漏电流（Id）最大2.5A，能够在高达25V的漏源电压（Vdss）下稳定工作。这使得NTD14N03RT4G非常适合用于DC-DC转换器、开关电源和马达驱动电路等应用。
1.2 导通电阻
该器件在10V的栅源电压下，最大导通电阻（Rds(on)）仅为95毫欧（@5A），这意味着在开关状态下保持较低的功耗和热损耗，从而提高整体效率。此外，该MOSFET的输入电容（Ciss）最大115pF（@20V），提供快速的开关响应，适合高频应用。
1.3 栅极阈值电压
NTD14N03RT4G的栅极阈值电压（Vgs(th)）为2V（@250µA），使得它能在较低的栅源电压下开始导通，有助于在低电压条件下有效运作，这对低功耗设备尤为重要。
2. 机械特性与符号
2.1 封装类型
NTD14N03RT4G采用的是DPAK-3封装，尺寸紧凑，适合高密度电路板设计。此封装不仅提供良好的散热性能，还方便自动化贴装。
2.2 工作温度范围
工作温度范围广泛，从-55°C到150°C（TJ），确保该MOSFET能够在各种严苛环境条件下稳定工作，适合多种工业及消费电子产品。
3. 应用领域
由于其优异的性能，NTD14N03RT4G广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- DC-DC电源转换器：在进行电压转换时，保持高效率和小面积。
- 开关电源：提供高效的电力管理，降低由于能量损失而产生的热量。
- 马达驱动器：能够承受瞬时高电流负载，适用于电动车、家用电器等场合。
- 便携式电子产品：由于其低功耗特性，特别适合电池供电的设备。
- 不间断电源（UPS）：在电源故障时，保持设备的稳定运行。
4. 总结
NTD14N03RT4G是一个功能强大的N通道MOSFET，具备高效率、低导通电阻和宽广的工作温度范围，适合各种电源管理和开关应用。无论是在工业设备还是消费电子产品中，它的出色性能都能够满足要求高效能与小型化设计的挑战。凭借其可靠性和高性价比，NTD14N03RT4G是一款非常理想的选择，对于设计工程师和产品开发人员而言，它提供了良好的性能和可靠的解决方案。