IRL2505SPBF
IRL2505SPBF参数
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5000pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 104A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 漏源电压（Vdss） | 55V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 54A，10V | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 130nC @ 5V |
IRL2505SPBF手册
IRL2505SPBF概述
产品概述：IRL2505SPBF
基本信息
IRL2505SPBF 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET，具备卓越的电气特性和广泛的应用范围。这款 MOSFET 由知名品牌英飞凌（Infineon）制造，在 D2PAK 封装中提供了出色的散热能力，适用于各种高功率和高频开关电源、电机驱动以及其他要求高效能的电子设计。
主要参数
功率耗散: IRL2505SPBF 的最大功率耗散能力为 3.8W（在环境温度 Ta 下），而在结温 Tc 的条件下，其功率耗散可达 200W。这使得该型号 MOSFET 能够在高负载条件下工作，并实现可靠的性能。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围可达 -55°C 至 175°C，使其适合于极端环境下的应用，确保在严酷条件下依然保持稳定性和可靠性。
漏源电压 (Vdss): 最大漏源电压为 55V，使其能够有效控制电流高达 104A，确保其在多种应用场景中的实用性。
输入电容 (Ciss): 在最高 25V 的条件下，该器件的输入电容最大值为 5000pF。这对于高频应用中的开关速度至关重要，较低的输入电容能够加快开关速度，减少开关损耗。
导通电阻 (Rds On): 在 10V 的栅极驱动电压下，其导通电阻最大值为 8 毫欧（在 54A 的条件下），这意味着该 MOSFET 在开启状态下的功率损耗非常低，从而提高了整体效率。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷值为 130nC (在 5V 的栅极电压下)，这一特性使其在快速开关应用中表现良好。
主要特性
高效率: 由于其低导通电阻和低开关损耗，IRL2505SPBF 适用于高效率的电源转换系统。运用 MOSFET 的高开关频率能够显著降低能量损耗，在各种电气应用中都表现出色。
强大的电流承载能力: 本器件具有高达 104A 的连续漏极电流能力，适合各种需要大电流的应用场景，如电机驱动、DC-DC 转换器及高频逆变器。
宽广的工作温度范围: 从 -55°C 到 175°C 的工作温度范围为其在汽车、电信和工业控制等严苛环境中提供了良好的适应性。
良好的散热性能: D2PAK 封装具备很好的散热性能，能够有效降低器件温度，提升器件的使用寿命和可靠性。
简化设计: 由于其优化的性能特性和宽泛的适用性，采用 IRL2505SPBF 的电路设计可以显著简化，缩短开发周期。
应用场景
IRL2505SPBF 在许多高电流和高功率的电子设备中找到应用，包括：
开关电源: 在各种开关电源设计中作为开关器件，能够提供高效的电能转换与管理能力。
汽车电子: 适用于电动汽车中的动力控制和电源管理系统。
电机驱动: 适合用于直流电机及步进电机的驱动和控制系统，能够支持高负荷环境下的持续运行。
工业自动化: 用于各种工业控制系统中，确保设备在长时间、高强度的工作下保持稳定。
消费电子: 在各种高性能消费电子产品中，例如便携式音响、功率放大器等领域，IRL2505SPBF 都能发挥其优越的性能。
结论
IRL2505SPBF N 沟道 MOSFET 是一款高度可靠且性能卓越的电子元器件，适用于多种严苛环境下的应用。其优良的导通电阻、功率承载能力以及宽广的工作温度范围，使其成为现代高效能电子系统中理想的选择。无论是在汽车电子还是工业自动化领域，IRL2505SPBF 都能为设计师带来更高的效能和更强的竞争力。