电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 20V | 容差 | ±6% |
功率 - 最大值 | 225mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 55 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50nA @ 14V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
引言
BZX84C20LT1G 是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款稳定的齐纳二极管,广泛应用于电子电路中用于电压稳压和过压保护。凭借其精确的电压调节特性和优秀的热稳定性,BZX84C20LT1G 是设计师在构建稳压电源或保护电路时的理想选择。
产品特性
电压及功耗参数
BZX84C20LT1G 的标称齐纳电压为 20V,具有 ±6% 的容差。这表明该元件能够在 18.8V 至 21.2V 的电压范围内稳定工作,非常适合需要精准电压控制的应用场合。其最大功率达到 225mW,使其适用于低功率应用,确保在热量管理方面具有良好的表现。
反向特性
该器件的反向电流特性表现优异。反向泄漏电流为 50nA @ 14V,意味着在该电压下,二极管的漏电流极小,能够有效减少功耗。这在电池供电或低功耗设备中显得尤为重要,而较低的反向泄漏电流使得它在高温环境下的稳定性更佳。
阻抗特性
BZX84C20LT1G 具有最大阻抗 Zzt 为 55Ω,这在设计电路时能够提供稳定的电压输出,特别是在频繁变化的负载条件下。
正向电压特性
在 10mA 的正向电流下,正向电压 Vf 为 900mV,虽然相对于标称电压较低,但在大多数应用中该电压水平是可接受的,并不会对整个电路效率产生显著的负面影响。
工作温度范围
BZX84C20LT1G 的工作温度范围为 -65°C 到 +150°C (TJ),使其能够在极端环境条件下保持可靠的性能。这确保了该器件在工业、汽车及其他恶劣环境中的适用性。
安装类型与封装
该器件采用表面贴装型(SMD)封装,具体为 SOT-23-3(TO-236),这使得它在现代高密度电路板上具备出色的适配性,尤其适合用于紧凑型电子设备中。其小巧的封装设计使得该元件在占用空间的同时,不影响电路的整体布局。
应用领域
BZX84C20LT1G 在多种应用场景中表现出色,包括但不限于:
总结
综上所述,BZX84C20LT1G 是一款性能稳定、电压精确的齐纳二极管,兼具优良的热稳定性和可靠的工作性能,适合在各种电子电路设计中使用。无论是用于低功率稳压,还是在极端环境下提供保护,该产品都有着出色的表现,是电子设计师的可靠选择。