功率(Pd) | 3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 110pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 82mΩ@10V,4A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 26nC |
漏源电压(Vdss) | 55V | 类型 | 2个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.45nF@25V | 连续漏极电流(Id) | 4A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA |
NCE55P04S是一款由新洁能(NCE)制造的P沟道场效应管(MOSFET),该器件的额定功率为3W,工作电压高达55V,并能承载的最大电流为4A。这款MOSFET采用SOP-8(表面贴装)封装,适合多种电子电路中广泛的应用场景,如电源管理、信号开关、负载驱动等。
P沟道结构:NCE55P04S采用P型沟道结构,这使得它在需要低电平控制高侧负载时表现优异。相较于N沟道MOSFET,P沟道的特点是容易与高边开关电路实现,可以简化电路设计,使得其在大多数正供电应用中实现高效控制。
高耐压与电流能力:该器件具有55V的高耐压特性,适合于高压电源应用。同时,其最大4A的持续电流,使得NCE55P04S能在不同负载条件下工作,保证了稳定性和可靠性。
低导通电阻:NCE55P04S在工作时展现出较低的导通电阻(RDS(on)),相对较低的导通损耗使得该MOSFET在高频率和高效率的开关应用中具备良好的电流控制特性,从而提高整个电路的能效。
紧凑封装:采用SOP-8封装,体积小巧,适合需要节省空间的高密度电子设备。设计师可以方便地在有限的PCB空间上集成该器件,满足现代电子产品对小型化和高性能的需求。
开关速度快:NCE55P04S实现了快速的开关性能,适合于开关电源、DC-DC转换器、马达驱动等时序要求高的应用场合,能够提升整体系统的响应速度和效率。
电源管理系统:由于其高效能及稳定性,NCE55P04S被广泛应用于各种电源管理电路中,包括电源开关、待机控制、负载监测等。
工业控制:在工业自动化设备中,该MOSFET可用于各种执行器和传感器的驱动电路,实现高效的控制信号处理。
电动机驱动:NCE55P04S适用于直流电动机和步进电动机的控制,能够在电动机启动和运行过程中提供稳定的电流支持。
消费电子产品:在便携式电子设备、家用电器及其他消费电子产品中,该MOSFET的高效率和小巧尺寸使其成为理想的电子开关。
LED驱动:在LED照明产品中,NCE55P04S可用于高效的LED驱动电路,实现长时间的稳定照明效果及可调光控制。
NCE55P04S P沟道MOSFET在许多应用领域中表现出色,其稳定性、低导通电阻和快速开关特性使其成为多种电子设计的理想选择。随着电子设备向更高的集成度和更小体积发展,这款MOSFET为设计师们提供了多功能的解决方案,满足了现代电子产品的高效能和空间节约的要求。在未来的电子设计中,NCE55P04S将继续发挥其重要作用,推动技术的进步与发展。