NCE55P04S 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE55P04S

商品编码: BM0084404816
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
SOP-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3W 55V 4A 2个P沟道 SOIC-8
库存 :
6116(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.53
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.53
--
100+
¥1.22
--
1000+
¥1.09
--
2000+
¥1.03
--
4000+
¥0.98
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE55P04S参数

功率(Pd)3W反向传输电容(Crss@Vds)110pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)82mΩ@10V,4A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)26nC
漏源电压(Vdss)55V类型2个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.45nF@25V连续漏极电流(Id)4A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@250uA

NCE55P04S手册

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NCE55P04S概述

NCE55P04S 产品概述

一、产品背景

NCE55P04S是一款由新洁能(NCE)制造的P沟道场效应管(MOSFET),该器件的额定功率为3W,工作电压高达55V,并能承载的最大电流为4A。这款MOSFET采用SOP-8(表面贴装)封装,适合多种电子电路中广泛的应用场景,如电源管理、信号开关、负载驱动等。

二、产品特点

  1. P沟道结构:NCE55P04S采用P型沟道结构,这使得它在需要低电平控制高侧负载时表现优异。相较于N沟道MOSFET,P沟道的特点是容易与高边开关电路实现,可以简化电路设计,使得其在大多数正供电应用中实现高效控制。

  2. 高耐压与电流能力:该器件具有55V的高耐压特性,适合于高压电源应用。同时,其最大4A的持续电流,使得NCE55P04S能在不同负载条件下工作,保证了稳定性和可靠性。

  3. 低导通电阻:NCE55P04S在工作时展现出较低的导通电阻(RDS(on)),相对较低的导通损耗使得该MOSFET在高频率和高效率的开关应用中具备良好的电流控制特性,从而提高整个电路的能效。

  4. 紧凑封装:采用SOP-8封装,体积小巧,适合需要节省空间的高密度电子设备。设计师可以方便地在有限的PCB空间上集成该器件,满足现代电子产品对小型化和高性能的需求。

  5. 开关速度快:NCE55P04S实现了快速的开关性能,适合于开关电源、DC-DC转换器、马达驱动等时序要求高的应用场合,能够提升整体系统的响应速度和效率。

三、应用领域

  1. 电源管理系统:由于其高效能及稳定性,NCE55P04S被广泛应用于各种电源管理电路中,包括电源开关、待机控制、负载监测等。

  2. 工业控制:在工业自动化设备中,该MOSFET可用于各种执行器和传感器的驱动电路,实现高效的控制信号处理。

  3. 电动机驱动:NCE55P04S适用于直流电动机和步进电动机的控制,能够在电动机启动和运行过程中提供稳定的电流支持。

  4. 消费电子产品:在便携式电子设备、家用电器及其他消费电子产品中,该MOSFET的高效率和小巧尺寸使其成为理想的电子开关。

  5. LED驱动:在LED照明产品中,NCE55P04S可用于高效的LED驱动电路,实现长时间的稳定照明效果及可调光控制。

四、总结

NCE55P04S P沟道MOSFET在许多应用领域中表现出色,其稳定性、低导通电阻和快速开关特性使其成为多种电子设计的理想选择。随着电子设备向更高的集成度和更小体积发展,这款MOSFET为设计师们提供了多功能的解决方案,满足了现代电子产品的高效能和空间节约的要求。在未来的电子设计中,NCE55P04S将继续发挥其重要作用,推动技术的进步与发展。