SI2319DDS-T1-GE3
SI2319DDS-T1-GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta），3.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 650pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta），1.7W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2319DDS-T1-GE3手册
SI2319DDS-T1-GE3概述
产品概述：SI2319DDS-T1-GE3
一、产品简介
SI2319DDS-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）制造的 P 通道 MOSFET，采用 SOT-23-3 (TO-236) 封装，主要用于开关和放大应用。它提供了优秀的性能，操作电压范围可达 40V，具有较高的连续漏极电流，适合多种电子设备的应用。
二、主要参数
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
漏源电压（Vdss）：40V，表明在这种电压条件下，应用性能不受影响。
连续漏极电流（Id）：
- 25°C 时：2.7A （周围空气温度）
- 3.6A （在更高的热量散发环境，即Tc）
驱动电压：支持的驱动电压范围为 4.5V 和 10V。其最小导通电阻 (Rds On) 在 10V 下表现更为优越。
导通电阻（Rds On）：在 2.7A 和 10V 条件下最大值为 75 毫欧，这意味着该器件在正常操作中将显著降低功耗及发热。
阈值电压 (Vgs(th))：最大值为 2.5V，在 250µA 的条件下测量，表明该器件能够在较低的电压下可靠开启。
栅极电荷 (Qg)：最大值为 19nC，表示在 10V 时需要克服的栅极电荷。
栅源电压（Vgs）：最大承受范围 ±20V，确保设备的稳定性与安全性。
输入电容 (Ciss)：在 20V 时最大值为 650pF，这对提高开关速度和效率起着重要作用。
功率耗散：最大功率耗散为 1W（在 Ta 条件下），1.7W（在 Tc 条件下），这意味着设备在处理高电流时可维持良好的散热性。
工作温度范围：-55°C 至 150°C，保证在极端条件下的可靠性和稳定性。
三、封装与安装
SI2319DDS-T1-GE3 采用 SOT-23-3 封装，这种表面贴装型封装广泛用于紧凑型电路设计，适合自动化组装。SOT-23-3 封装的设计确保了最佳的电气性能和热管理，使其在工控、消费电子及汽车电子等领域具有广泛的应用潜力。
四、应用领域
SI2319DDS-T1-GE3 致力于在多种应用中实现高效切换和控制，适合以下领域：
- 开关电源：能够用于高效的电源转换和管理，提高整体能效。
- 功率管理：通过精准控制流过负载的电流，优化功率分配。
- 负载开关：适合用于控制各种电气负载，特别是在电源延迟打开或关闭的应用中。
- 音频放大应用：作为信号放大的关键元件，处理高频音频信号。
- 电动车辆和混合动力车：在电池管理和高压控制的配合下，确保安全高效的电源控制。
五、结论
作为一款高性能的 P 通道 MOSFET，SI2319DDS-T1-GE3 集成了多种先进的技术特性，不仅提供优越的热性能和开关效率，同时也适应广泛的工作环境和实际应用需求。无论是在当前的高科技产业还是在日常电子设备中，SI2319DDS-T1-GE3 都展现出了良好的适应性与可靠性，是设计工程师在选型时不可或缺的元件之一。