MMBTH81 产品实物图片
MMBTH81 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBTH81

商品编码: BM0084386190
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 225mW 20V 50mA PNP SOT-23
库存 :
5315(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.594
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.594
--
200+
¥0.383
--
1500+
¥0.333
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBTH81参数

安装类型表面贴装型电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50mA
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)频率 - 跃迁600MHz
功率 - 最大值225mW电压 - 集射极击穿(最大值)20V
晶体管类型PNP不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)60 @ 5mA,10V
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

MMBTH81手册

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MMBTH81概述

MMBTH81 产品概述

基本信息

MMBTH81 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的高性能表面贴装型 PNP 晶体管,专为各种电子应用设计,具有优良的电气特性和可靠性。此器件广泛应用于小信号放大、开关控制及其他需要高频特性的电路中,其紧凑的 SOT-23-3(TO-236)封装使其适合于现代电子设备的小型化趋势。

关键参数

  • 晶体管类型: PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 50 mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 20 V
  • 功率最大值: 225 mW
  • 频率 - 跃迁: 600 MHz
  • 不同 Ic 和 Vce 时的 DC 电流增益 (hFE): 最小值为 60 @ 5 mA,10 V
  • 工作温度范围: -55 °C 到 150 °C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装形式: SOT-23-3(TO-236)

特性与优势

MMBTH81 的设计旨在满足多种应用需求,特别是通信和消费电子产品。其主要特性和优势包括:

  1. 高频响应: 具有高达 600 MHz 的跃迁频率,使其适用于高频信号放大的场合,如无线通信和视频信号处理。

  2. 温度稳定性: 工作温度范围广,从 -55 °C 到 150 °C,使其能够在极端环境下正常工作,确保产品在各种应用场合的可靠性。

  3. 小尺寸封装: SOT-23-3 封装提供小巧的尺寸,同时在 PCB 上节省空间,适合于对体积要求严格的现代电子设备。

  4. 高电流增益: 最小 DC 电流增益(hFE)为 60,意味着在特定工作条件下,能够提供良好的放大能力,保证电路性能。

  5. 低功耗: 最大功率为 225 mW 使其非常适合于低功耗的应用中,这对于电池供电的设备尤其重要。

应用领域

由于 MMBTH81 在性能和可靠性上的优越表现,它广泛应用于以下领域:

  • 小信号放大电路: 适用于音频信号处理、视频信号放大等应用。
  • 射频电路: 其高频性能使其在 RF 放大器和开关模块中表现出色。
  • 开关应用: 可以用于各种开关电路,控制负载或作为开关放大器使用。
  • 消费者电子: 广泛应用于手机、平板电脑及其他便携式设备中,提供信号处理及放大功能。

设计考量

在使用 MMBTH81 时,设计师需要注意以下几点:

  1. 热管理: 尽管其工作温度范围宽广,确保良好的散热设计依然重要,尤其在高功率应用情况下。

  2. 偏置电压和电流: 正确设置偏置电压和电流,以确保在性能范围内运行,从而获取最佳的增益特性及频率响应。

  3. PCB 设计: 在 PCB 布局中考虑合适的走线宽度和过孔设计,以降低寄生电感和电阻的影响,保障信号完整性。

结论

总之,MMBTH81 是一款多用途的 PNP 晶体管,以其卓越的电气特性、稳定性与小体积,在现代电子产品中占据了重要地位。其广泛的应用领域和高效的性能表现,使其成为设计师在选择小信号晶体管时的优先选择之一。无论是在消费电子还是通信设备中,MMBTH81 都能满足高效能和可靠性的要求,推动电子设备朝着更高性能、更小尺寸的方向发展。