驱动配置 | 低端 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 4.5V ~ 18V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 1V,2.3V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 5A,5A | 输入类型 | 非反相 |
上升/下降时间(典型值) | 7ns,6ns | 工作温度 | -40°C ~ 140°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | 8-SON(3x3) |
UCC27524DSDR 是一款高性能的栅极驱动器,专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计,是德州仪器(Texas Instruments, TI)推出的一款功能优异的电子元器件。其主要用于电源转换、马达驱动、以及其他要求高频率开关的应用场景。该门驱动器以其出色的电气参数和广泛的应用范围,在工业、汽车和消费类电子产品中得到广泛应用。
驱动配置: UCC27524DSDR 采用低端驱动配置,适合在多种电路架构中使用。其独立的通道类型设计使其在驱动多个功率元器件时具有更高的灵活性和效率。
电压特性: 该驱动器的供电电压范围从 4.5V 到 18V,确保其在典型应用中的兼容性和可靠性。逻辑电压输入范围为 VIL = 1V,VIH = 2.3V,便于兼容不同的逻辑电平系统。
输出电流能力: UCC27524DSDR 能够在驱动时提供高达 5A 的峰值输出电流(无论是灌入还是拉出),为处理快速开关信号提供了卓越的电流驱动能力,从而保证了设备的快速响应。
开关速度: 该器件具有较快的上升和下降时间,典型值分别为 7ns 和 6ns。这种快速的开关能力使其非常适合高频开关应用,有效降低了开关损耗,提高了整体系统的能效。
工作温度范围: UCC27524DSDR 能在 -40°C 至 140°C 的广泛工作温度范围内稳定运行,适合在恶劣环境下的应用,确保器件的长期可靠性。
封装与安装方式: 该驱动器采用表面贴装型的8-WDFN封装(3x3mm),设计紧凑,适合现代小型化电子产品,同时其裸露焊盘设计可降低热阻,提高散热性能。
UCC27524DSDR 的灵活性和高性能使其在多种应用中均有广泛的适用性,主要包括:
UCC27524DSDR 作为TI推出的一款尖端栅极驱动器,凭借其卓越的电气性能、高密度封装、广泛的工作温度范围以及灵活的应用前景,成为现代电子设计中的重要组件。无论是在电源监控、驱动电动机,还是在应对高频率开关场合,该驱动器均展现出无与伦比的性能优势,为设计师提供了广阔的设计空间和应用可能性。选择 UCC27524DSDR 将为您的产品赋能于高效能能量管理及系统集成,助力市场竞争力的提升。