功率(Pd) | 1.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF@30V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 23mΩ@4.5V,5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 22nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 65V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.3nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 25A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
CJAB25SN06是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),属于江苏长电(CJ)旗下的一款系列产品,封装形式为PDFNWB-8L,尺寸为3.3mm x 3.3mm,适合多种电子应用场景。该器件具备优异的电气性能,能够承受最高65V的栅源电压,最大可承载的漏电流达到25A,功耗额定为1.5W。这使得CJAB25SN06在高功率和高效率的电力电子设计中具有广泛的应用潜力。
高耐压:CJAB25SN06设计为能够承受65V的高电压,适用于需要高电压操作的应用场合,能够有效防止系统因电压波动而导致的损坏。
大电流承载能力:最大电流输出可达25A,满足大功率应用的需求,具备良好的高温稳定性和热管理特性,确保其在高负载下可靠运行。
低导通电阻:该MOSFET具有极低的导通电阻,有助于降低开关损耗和通态损耗,从而提升系统的整体能效,降低热量产生,延长器件寿命。
快速开关特性:CJAB25SN06支持较高的开关频率,适合用于开关电源、DC-DC转换器和其他需要快速开关的应用中。这使得它能够在高效率的情况下进行高频操作,适应现代电子设备对响应速度的要求。
紧凑型封装:PDFN封装设计不仅降低了占板面积,便于小型化设计,同时还增强了散热性能,使得其能够在密集集成的电路板中运行。
CJAB25SN06广泛应用于各种领域,包括但不限于:
CJAB25SN06 N沟道场效应管因其优良的电气性能、紧凑的封装及广泛的应用适应性,成为了现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。无论是在提供稳健的电源管理,还是在促进智能设备的发展方面,该器件都显示出其强大的竞争优势。未来,随着技术的不断进步,CJAB25SN06必将在创新电子产品设计中发挥越来越重要的角色。