电容 | 1pF | 容差 | ±0.1pF |
电压 - 额定 | 50V | 温度系数 | C0G,NP0 |
工作温度 | -55°C ~ 125°C | 特性 | 高 Q 值,低损耗 |
应用 | RF,微波,高频 | 安装类型 | 表面贴装,MLCC |
封装/外壳 | 0402(1005 公制) | 大小 / 尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) |
厚度(最大值) | 0.022"(0.55mm) |
产品介绍
GJM1555C1H1R0BB01D 是由日本著名电子元器件制造商村田(muRata)推出的一款多层陶瓷电容器(MLCC)。此款电容器具有极为优异的电气性能,适用于各种高频和微波应用。具体规格包括电容值为1pF,容差为±0.1pF,额定电压为50V,温度系数为C0G(也称为NP0),具有较宽的工作温度范围(-55°C~125°C)。
基本特性
电容值与容差:该电容器的电容值为1pF,适用于高频电路中的旁路和耦合电容应用。±0.1pF的高精度容差使其在要求严格的射频(RF)和微波应用中表现优秀,这对于确保电路稳定性和信号完整性至关重要。
额定电压:50V的额定电压保证了此款电容器在多种电路条件下的可靠性和稳定性。不论是在高压或低压环境中,GJM1555C1H1R0BB01D都能保持良好的性能。
温度特性:C0G/NP0类型温度系数使得该电容器的电容量几乎不随温度变化而变化,适合那些需要在宽广温度范围内保持电特性稳定的应用。这一特性是高可靠性电子设备,尤其是工业和航空航天领域非常重视的。
工作温度:-55°C至125°C的广泛工作温度范围使GJM1555C1H1R0BB01D能够在极端环境下稳定工作,无论是在严寒的北极还是高温的沙漠都能妥善运用。
高Q值和低损耗:凭借其高Q值,该电容器在高频应用中的自谐振频率非常高,能够有效降低信号损耗,提升电路效率。
应用领域
GJM1555C1H1R0BB01D广泛应用于多个领域,主要包括:
射频(RF)电路:RF放大器、发射机和接收机等设备中,使用该电容器可以帮助稳定信号和提高增益。
微波设备:微波通信和测量仪器中,由于其稳定的性能和良好的附加特性,使用此电容器可以实现更精确的温度和频率响应。
高频应用:如移动通信、卫星通信、雷达和无线网络等高频设备,需求高Q值与低损耗特性的电容器来提高总体性能。
安装与封装
GJM1555C1H1R0BB01D采用0402(1005公制)表面贴装封装,这种小尺寸的设计使其非常适合空间受限的电路板布局。具体尺寸为0.039"(长)x 0.020"(宽),厚度最大为0.022"(0.55mm),在现代电子产品追求小型化的趋势中,这种封装形式能够有效节省空间,同时保证电气性能。
总结
总的来看,GJM1555C1H1R0BB01D电容器以其高质量的材料和卓越的电气特性,成为高频应用电子设备中一个不可或缺的元件。具备极低的电容量波动和高稳定性,它在现代通信、微波及高频电路中,无疑为设计师提供了一个可靠的解决方案。无论是在新产品开发还是改进现有产品的过程中,该电容器都展示了其独特的价值,值得设计师和工程师信赖与选择。