功率(Pd) | 380W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 105pF@40V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.3mΩ@10V,160A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 240nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 85V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 14.5nF@40V | 连续漏极电流(Id) | 320A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
NCEP018N85LL 是新洁能(NCE)推出的一款高性能N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用TOLL封装,旨在满足大量电子设备中的高效能开关和线性放大需求。凭借其优越的电气特性和较低的导通电阻,NCEP018N85LL在各种应用场景中表现出色,特别适用于电源管理、电机驱动和信号处理等领域。
低导通电阻(R_DS(on)): NCEP018N85LL具有极低的导通电阻,使其在导通时的功耗显著降低,进而提高了整体系统的能效。这一特性对于动态电源管理和高频开关应用尤为重要,可以有效减少热量产生,提升设备的可靠性。
高电流承载能力: 本产品支持大电流(最大可达18A)的工作需求,非常适合大功率应用。其高导通能力使得它能够轻松驾驭电机驱动、电源转换等应用中对电流的需求。
宽电压工作范围: NCEP018N85LL的击穿电压(V_DS)高达85V,能够在多种电压条件下稳定工作,极大地拓宽了其应用范围。它尤其适合于高电压电源电路和电池供电设备。
封装优势: 采用TOLL(通过孔电镀焊盘)封装设计,NCEP018N85LL具有出色的热性能和机械强度。这种封装形式适应了现代电路设计的需求,易于焊接和安装,有效提高了生产效率。
NCEP018N85LL广泛应用于以下领域:
电源管理: 凭借其优异的开关特性,NCEP018N85LL非常适合用于DC-DC转换器、线性稳压器和其他电源管理应用。在高效率电源设计中,它能够帮助减少功耗,同时提高转换效率。
电机驱动: 在电动机控制和驱动系统中,本产品能够提供高电流和低延迟的开关能力,适用于电动工具、电动车辆以及工业自动化设备等应用。
消费电子: NCEP018N85LL同样适合用于各类消费电子产品,如LED驱动、快充电源适配器及便携式设备,为其提供高效的电源管理解决方案。
信号处理: 在射频和信号处理应用中,NCEP018N85LL能够以高速度和低失真处理信号,保证准确的信号传输。
综合以上特性,NCEP018N85LL作为一款高性能N沟道MOSFET,不仅能够满足复杂电子系统对性能的高要求,也能在成本控制上提供良好的平衡。新洁能的这一产品,为设计工程师提供了灵活多样的解决方案,是电子行业中的理想选择。无论是在电源管理还是电机驱动领域,NCEP018N85LL凭借其先进的技术和卓越的性能,必将成为众多设计项目的关键组件。