CUS08F30,H3F
CUS08F30,H3F参数
| 二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 800mA | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 220mV @ 10mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50µA @ 30V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 170pF @ 0V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 | 供应商器件封装 | USC |
| 工作温度 - 结 | 125°C（最大） |
CUS08F30,H3F手册
CUS08F30,H3F概述
CUS08F30, H3F 产品概述
CUS08F30 是一种高性能肖特基二极管，由东芝（TOSHIBA）制造，采用表面贴装型封装（SC-76，SOD-323）。该器件专为高频和快速开关应用设计，具有卓越的电气特性，适用于各种电子设备和电路设计需求。
主要特性
二极管类型: CUS08F30属于肖特基二极管，这种类型的二极管具有较低的正向压降和快速开关时延，是高效率电源转换和整流的理想选择。
最大直流反向电压(Vr): 该二极管的最大直流反向电压为30V，这使得CUS08F30可在多种电源和信号电路中使用，适应中低电压的应用场合。
平均整流电流(Io): CUS08F30具有800mA的平均整流电流，可以确保在多数应用场合下提供足够的电流支持。
正向压降(Vf): 在10mA的条件下，正向压降仅为220mV，这意味着在工作过程中所造成的电能损耗极小，有助于提高整体效能，尤其适用于电源管理和高效率转换电路。
反向漏电流: 在30V的直流反向电压下，逆向漏电流仅为50µA，极大降低了不必要的功耗，并提高了电路的可靠性和稳定性。
容性特性: CUS08F30在0V下的电容为170pF（以1MHz频率测量），这一特性使其能够很好地适用于高频工作环境，提高了电路的整体性能。
热特性: 该二极管的工作结温度最大可达125°C，适合在高温环境下工作，且能够确保在极端条件下的稳定工作。
快速恢复: 该二极管具有快速恢复特性，恢复时间小于500ns，适合高速开关应用，能够满足高频脉冲电流的需求。
封装形式: CUS08F30采用SC-76（SOD-323）封装，具有小型化、轻量化的优势，适合于现代电子设备的小型化设计需要。
应用场景
CUS08F30肖特基二极管广泛应用于各种电源管理系统、整流电路、逆变器、 LED 驱动电源、开关电源、适配器等领域。由于其高效率和低损耗特性，该二极管尤其适合用于便携式设备、平板电脑、手机和其他移动通信装置的电源设计。
在实际电路中，CUS08F30可以作为整流器、保护二极管或电源开关使用。其快速恢复特性使其在开关电源中表现优异，能够有效降低开关损耗，提升整体效率。对于需要处理高频信号的应用，比如 RF（射频）和高频开关电路，该二极管同样具备出色的性能表现。
结论
综上所述，CUS08F30是一款优质的肖特基二极管，凭借其良好的电气参数和可靠的性能，满足了现代电子设备对高效率和小型化的严格要求。无论是在消费电子、通讯设备还是工业控制系统中，CUS08F30都是众多设计师和工程师所青睐的解决方案，为电源管理和信号整流提供了强有力的支持。