晶体管类型 | NPN,PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 380mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
SBC846BPDW1T1G 是由安森美(ON Semiconductor)制造的一款高性能双极型晶体管(BJT),可用于各种应用场景。它采用 SOT-363 封装,具备卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,适用于需要高开关速度和低噪声特性的电子电路。
SBC846BPDW1T1G 由于其优秀的电气特性和封装设计,可广泛应用于以下领域:
SBC846BPDW1T1G 通常采用 SOT-363 封装,这种小型化设计适应于现代电子产品对空间的严格要求。表面贴装技术(SMT)支持高效的自动化生产,降低了生产成本和时间。
总之,SBC846BPDW1T1G 是一款基本面强劲、适应性广泛的 NPN/PNP 双极型晶体管,具备高增益、低功耗和可靠的工作温度范围。无论是在消费、工业还是汽车领域,该产品都可提供卓越的性能,成为电子设计师的理想选择。