SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3 产品概述

SIR668ADP-T1-RE3 是由 VISHAY（威世）公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），其采用先进的 TrenchFET® 技术，以提高效率和降低开关损耗。这种元器件专为高电压（最大漏源电压为 100V）和高电流（连续漏极电流可达 93.6A）应用而设计，适用于各种电源管理和功率转换的场景。

主要特性和规格

1. 电气特性:

   • 漏源电压（Vdss）: 100V. 该特性使得该MOSFET能够承受高电压应用，包括DC-DC转换和电机驱动等场合。
   • 连续漏极电流（Id）: 93.6A（在 25°C 的散热条件下）。这表明该器件适合处理较大的电流负载，能够在高负载条件下稳定工作。
   • 瞬态电流（Idm）: 最高可达 200A。该瞬态特性给予设计者较大的灵活性，在瞬态条件下能承受更高电流而不损坏。

2. 导通电阻（Rds On）: 在 10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为 4.8 毫欧（在 Id = 20A 的条件下），这意味着在工作时该器件的导通损耗极小，有助于提高系统整体效率，减少热量生成。

3. 栅极控制:

   • 驱动电压（Vgs）: 最小栅极驱动电压为 7.5V，最大为 10V，这使得它能适应多种驱动电压条件。
   • 阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为 4V @ 250µA，这保证了可以在较低的栅极电压下快速开启和关闭MOSFET。

4. 电容特性:

   • 输入电容（Ciss）: 最大值为 3750pF（在 50V 时），这有助于提高开关速度，适合高频率操作。

5. 功耗与温度特性:

   • 功率耗散（Pd）: 最大功率在 104W 时能够稳定工作，适应于高功率应用。
   • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C 的宽广温度范围，确保该器件在极端环境下也能可靠运作。

6. 封装信息:

   • SIR668ADP-T1-RE3 采用 PowerPAK® SO-8 表面贴装型封装，这种封装不仅能有效节省空间，还能通过较低的热阻特性提升散热性能，适用于自动化设备及高农场密度的应用设计。

应用场景

SIR668ADP-T1-RE3 适用于多种场合，包括但不限于:

• 高效 DC-DC 转换器
• 电动汽车及混合动力汽车的电源管理系统
• 太阳能逆变器
• IPM（智能功率模块）
• 计算机电源供应单元

总结

SIR668ADP-T1-RE3 是一款具备高性能、高效率且工艺先进的 N 通道 MOSFET，凭借其优越的导通电阻、高电流承载能力以及宽工作温度范围，成为多种高电压和高电流电源管理应用的理想选择。对于设计师来说，该器件不仅能够帮助他们在设计中实现更高的能效，还能提升系统的可靠性和稳定性，是现代电子应用中不可或缺的重要组件。