SMUN2211T1G 产品实物图片
SMUN2211T1G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SMUN2211T1G

商品编码: BM0084335092
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SC-59
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 230mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SC-59
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.617
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.617
--
200+
¥0.426
--
1500+
¥0.386
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

SMUN2211T1G参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)35 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 300µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
功率 - 最大值230mW安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SC-59

SMUN2211T1G手册

empty-page
无数据

SMUN2211T1G概述

SMUN2211T1G 产品概述

产品简介:

SMUN2211T1G 是一款高性能NPN预偏置数字晶体管,由著名电子元器件制造商安森美(ON Semiconductor)生产。该晶体管设计用于多种现代电子应用,包括开关电源、信号放大和数字电路驱动等领域。其优异的电气特性和表面贴装封装设计使其成为紧凑型电子设备中不可或缺的核心元件。

主要技术参数:

  1. 晶体管类型:SMUN2211T1G 为NPN类型的晶体管,具有预偏压特性,能够在设计中提供更优的控制和稳定性。
  2. 电流 - 集电极 (Ic):该器件的最大集电极电流为100mA,适用于中小功率的开关和线路驱动应用。
  3. 电压 - 集射极击穿 (Vce):SMUN2211T1G 的集射极击穿电压最高可达50V,确保其在高压环境下的可靠性和稳定性。
  4. 基极电阻 (R1) 和发射极电阻 (R2):器件的基极和发射极电阻均为10 kΩ,为设计者提供了合适的工作点选择,易于控制和驱动。
  5. DC电流增益 (hFE):在5mA集电极电流和10V的条件下,该晶体管的最小DC电流增益为35,保证了充分的信号放大能力。
  6. Vce饱和压降:在300µA基极电流和10mA集电极电流的条件下,饱和压降最大为250mV,确保低功耗和良好的开/关切换特性。
  7. 集电极截止电流:最大集电极截止电流为500nA,表示待机状态下的低功耗特性。
  8. 功率和封装:SMUN2211T1G 的最大功耗为230mW,采用表面贴装型SC-59封装,适合PCB密集设计,提供了良好的热管理和小型化解决方案。

应用领域:

凭借其高集电极电流和适度的击穿电压,SMUN2211T1G 可广泛用于各种应用场景。以下是一些主要应用领域:

  • 开关电源:在开关电源设计中,SMUN2211T1G 可以高效地控制开关元件,确保电源稳定和高效的工作。
  • 信号放大:由于其良好的增益特性,该晶体管适合用于音频信号放大和小信号处理。
  • 驱动电路:在驱动LED、马达或继电器等低功耗设备的电路中,SMUN2211T1G 能够提供可靠的开关控制。
  • 数字电路:作为数字逻辑电路的一部分,该晶体管可用来实现基本的逻辑功能和信号处理。

总结:

总之,SMUN2211T1G 是一款设计具有高性能、低功耗特点的NPN预偏置数字晶体管,适合在众多电子应用中使用。它的表面贴装设计为现代电子产品的小型化和高集成度提供了便利,是开发者和工程师进行线路设计和原型制作的理想选择。选择SMUN2211T1G,您将获得高质量、可靠性和出色表现的电子元器件,使您在设计中更加游刃有余。