晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 300µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
功率 - 最大值 | 230mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SC-59 |
产品简介:
SMUN2211T1G 是一款高性能NPN预偏置数字晶体管,由著名电子元器件制造商安森美(ON Semiconductor)生产。该晶体管设计用于多种现代电子应用,包括开关电源、信号放大和数字电路驱动等领域。其优异的电气特性和表面贴装封装设计使其成为紧凑型电子设备中不可或缺的核心元件。
主要技术参数:
应用领域:
凭借其高集电极电流和适度的击穿电压,SMUN2211T1G 可广泛用于各种应用场景。以下是一些主要应用领域:
总结:
总之,SMUN2211T1G 是一款设计具有高性能、低功耗特点的NPN预偏置数字晶体管,适合在众多电子应用中使用。它的表面贴装设计为现代电子产品的小型化和高集成度提供了便利,是开发者和工程师进行线路设计和原型制作的理想选择。选择SMUN2211T1G,您将获得高质量、可靠性和出色表现的电子元器件,使您在设计中更加游刃有余。