晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 10mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,6V |
功率 - 最大值 | 100mW | 频率 - 跃迁 | 80MHz |
工作温度 | 125°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | USM |
2SA1586-GR,LF 是一款由东芝(TOSHIBA)制造的高性能 PNP 型三极管(BJT),广泛应用于低功耗电子电路中。该三极管可用于信号放大和开关应用,特别适合于便携式电子设备和电源管理电路。其优良的电气性能及小巧的表面贴装封装(SC-70, SOT-323)使其成为在空间有限的设计中广泛使用的理想选择。
高增益性能:2SA1586-GR,LF 在较低的基极电流下提供较高的集电极电流增益(hFE),使得其在放大应用中表现优异,尤其适用于小信号放大电路。
低饱和压降:最大饱和压降仅为300mV,即使在较大的负载电流下也保持较低的功耗,有助于提高整体电路的能效。
超小封装:SC-70封装极其小巧,适合在空间要求严格的应用中使用。其表面贴装设计简化了自动化生产工艺,提高了生产效率。
高温稳定性:工作温度范围可达125°C,使其在高温环境中依然能够稳定工作,适合于汽车电子和工业设备等苛刻环境。
频率响应良好:拥有高达80MHz的跃迁频率,支持高速开关应用。这一特性使其在射频和脉冲应用场合表现出色,满足高频信号处理的需求。
2SA1586-GR,LF 在多个领域拥有广泛的应用:
2SA1586-GR,LF 结合了高增益、低功耗、出色的电气性能和可靠性,非常适合要求高效和紧凑设计的各类电路。其小巧的封装和宽广的应用范围使其成为电子设计工程师的优选元件。选择 2SA1586-GR,LF,将为您的电路设计带来卓越的性能和信赖的质量。