BSO615NGXUMA1 产品实物图片
BSO615NGXUMA1 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BSO615NGXUMA1

商品编码: BM0084335020
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 60V 2.6A 2个N沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
11.2
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥11.2
--
100+
¥9.65
--
1250+
¥9.2
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

BSO615NGXUMA1参数

制造商Infineon Technologies包装卷带(TR)
零件状态有源FET 类型2 N-通道(双)
FET 功能逻辑电平门漏源电压(Vdss)60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.6A不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)150 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 20µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)380pF @ 25V功率 - 最大值2W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装PG-DSO-8
基本产品编号BSO615

BSO615NGXUMA1手册

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无数据

BSO615NGXUMA1概述

BSO615NGXUMA1 产品概述

产品简介

BSO615NGXUMA1 是由德国产业巨头英飞凌(Infineon Technologies)制造的一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),其封装规格为8引脚SOIC(0.154"宽,3.90mm),专门设计用于满足汽车及其他高要求应用的需求。该产品符合汽车电子电气安全标准(AEC-Q101),从而保证其在恶劣工作环境下的可靠性和耐久性。

主要特性

  1. 电气特性

    • 漏源电压(Vdss):最高可承受60V的电压。
    • 连续漏电流(Id):在25°C时最大可达2.6A,适合多种负载应用需求。
    • 导通电阻:在2.6A与4.5V的条件下,最大导通电阻为150毫欧,能够有效减少在导通时的功耗,提升系统的整体效率。
    • 阈值电压(Vgs(th)):在20µA的测试条件下,最大阈值电压为2V,适合与逻辑电平直接驱动,简化了电路设计。
    • 栅极电荷(Qg):在10V下的最大栅极电荷为20nC,表明其快速开关性能,有利于提高开关频率和响应速度。
  2. 动态参数

    • 在25V下的输入电容(Ciss)最大值为380pF,能够有效减少交替开放和关闭状态下的损耗,降低电路中的辐射干扰。
  3. 机械特性

    • 采用表面贴装型(SMD)设计,适合在尺寸敏感的应用中使用。8-SOIC封装的设计使其在焊接与装配过程中便捷高效,特别适用于自动化生产。
  4. 工作环境

    • 工作温度范围广泛:-55°C至150°C,支持在极端的温度条件下正常工作,符合汽车环境下严苛的条件,保证了产品的可靠性和稳定性。
  5. 功率管理

    • 最大功率处理能力为2W(TJ),适合多种低功耗和高功率应用场景。

应用场景

BSO615NGXUMA1 主要应用于汽车电子、工业控制、开关电源、DC-DC转换器和其他高可靠性要求的应用场合。由于其强大的电气性能及优越的耐环境能力,该器件非常契合电动汽车、混合动力汽车的动力传动系统、能源管理系统以及车载电子设备。在工业应用中,能有效用于电机驱动、负载切换与其他领域内的功率控制。

结论

作为一款高性能的N通道MOSFET,BSO615NGXUMA1结合了优越的电气性能、广泛的工作温度适应性以及出色的动态特性,使其成为各种应用的优选方案。这款场效应管不仅能满足当今电子设备对于高效能、可靠性及安全性的严格要求,还能够在不同的环境条件中不断提供稳定的性能,帮助工程师和设计师顺利实现他们的电路设计目标。借助于英飞凌的技术优势与市场经验,BSO615NGXUMA1为用户提供了更为高效、安全的解决方案。