制造商 | Infineon Technologies | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 150 毫欧 @ 2.6A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 20µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 380pF @ 25V | 功率 - 最大值 | 2W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
基本产品编号 | BSO615 |
BSO615NGXUMA1 是由德国产业巨头英飞凌(Infineon Technologies)制造的一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),其封装规格为8引脚SOIC(0.154"宽,3.90mm),专门设计用于满足汽车及其他高要求应用的需求。该产品符合汽车电子电气安全标准(AEC-Q101),从而保证其在恶劣工作环境下的可靠性和耐久性。
电气特性:
动态参数:
机械特性:
工作环境:
功率管理:
BSO615NGXUMA1 主要应用于汽车电子、工业控制、开关电源、DC-DC转换器和其他高可靠性要求的应用场合。由于其强大的电气性能及优越的耐环境能力,该器件非常契合电动汽车、混合动力汽车的动力传动系统、能源管理系统以及车载电子设备。在工业应用中,能有效用于电机驱动、负载切换与其他领域内的功率控制。
作为一款高性能的N通道MOSFET,BSO615NGXUMA1结合了优越的电气性能、广泛的工作温度适应性以及出色的动态特性,使其成为各种应用的优选方案。这款场效应管不仅能满足当今电子设备对于高效能、可靠性及安全性的严格要求,还能够在不同的环境条件中不断提供稳定的性能,帮助工程师和设计师顺利实现他们的电路设计目标。借助于英飞凌的技术优势与市场经验,BSO615NGXUMA1为用户提供了更为高效、安全的解决方案。