电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 3.6V | 容差 | ±5% |
功率 - 最大值 | 500mW | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 7.5µA @ 2V |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA | 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOD-123 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
MMSZ4685T1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款稳压二极管,专为提供稳定输出电压而设计。其标称齐纳电压为 3.6V,具有良好的稳定性和高效的性能,广泛应用于各种电子电路中以保证电压的稳定性。
高稳定性: MMSZ4685T1G 在宽广的温度范围内(-55°C ~ 150°C)提供卓越的性能。其齐纳电压的精度以及低电流泄漏特性,使得其在设计电源稳压电路时,非常适合用作电源保护。
低反向泄漏: 在低电压(2V)下,反向泄漏电流仅为 7.5µA,保证了在电源中使用时的能效和电路的可靠性,特别是在电池供电的设备中尤为重要。
适用范围广泛: 由于其良好的性能和稳定性,MMSZ4685T1G 可广泛应用于各种设备,如通信设备、消费电子、工业控制和汽车电子等。
MMSZ4685T1G 的设计使其非常适合于以下应用:
MMSZ4685T1G 采用了 SOD-123 表面贴装封装形式,这种小型化的设计极大地节省了电路板面积,更加适用于现代电子产品对体积的小型化要求。表面贴装型设计也加强了其与其他电子元件的兼容性,使得在高密度电路板中实现更好的集成。
MMSZ4685T1G 是一款高性能的稳压二极管,它凭借其稳定的电压输出、低泄漏电流以及广泛的工作温度范围,成为电子设计中不可或缺的元件之一。无论是用于电源管理、过压保护还是信号完整性维护,MMSZ4685T1G 都展现出了卓越的性能。选择 MMSZ4685T1G,将为您的电子设计提供可靠的电压稳压解决方案,帮助实现高效、稳定的电源管理。