电容 | 1µF | 容差 | ±20% |
电压 - 额定 | 20V | 类型 | 模制 |
ESR(等效串联电阻) | 8.4 欧姆 | 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 1206(3216 公制) |
大小 / 尺寸 | 0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm) | 高度 - 安装(最大值) | 0.071"(1.80mm) |
制造商尺寸代码 | A | 特性 | 通用 |
293D105X0020A2TE3是一款由VISHAY(威世)制造的高性能钽电容器,具备出色的电气参数和稳定的工作特性。其主要规格为1µF的电容值,容差为±20%,额定电压为20V,设计用于各种电子电路的电源耦合、去耦和滤波要求。在现代设计中,钽电容因其高电容量密度和稳定性,逐渐成为重要的电子元器件。
高稳定性: 钽电容器以其良好的温度稳定性和长久的使用寿命,适合在高温和低温条件下工作,广泛应用于航空航天、军事和汽车等高要求的环境中。
高容量密度: 在小型封装内提供较大的电容量,使其在空间受限的应用中表现出色,能够有效节省电路板空间。
低 ESR: 其较低的等效串联电阻(ESR)特性使其在高频应用中性能良好,能够减少功耗并提高电路的整体效率。
广泛的应用范围: 293D105X0020A2TE3特别适用于智能手机、平板电脑、计算机及其外围设备、汽车电子、工业控制系统等多个领域。
钽电容器的广泛应用使得293D105X0020A2TE3非常适合在多种电气环境中使用,主要应用场景包括:
电源管理: 用于电源滤波和去耦,在稳定电压及减少电源噪声方面表现卓越,确保其他电子元器件平稳运行。
信号耦合: 在音频和射频设备中,适用作为信号耦合器,能够传递AC信号,同时阻止DC信号的干扰,确保信号的纯净。
高频应用: 由于其低ESR特性,适用于开关电源和高频变换器等应用,能够有效降低功耗,提高电源转换效率。
数据存储和处理: 在计算机和存储设备中,用作数据处理电路的旁路电容,快速响应电路动态变化,保证稳定操作。
为确保钽电容器的最佳性能,建议在PCB设计时遵循以下原则:
综上所述,293D105X0020A2TE3是一款性能卓越的钽电容器,具备多项显著优势和广泛的应用领域。其高电容值、低ESR和广泛的工作温度范围,使得该产品在现代电子设备中成为一个不可或缺的关键元器件。VISHAY作为全球领先的电子元器件制造商,凭借其在钽电容器领域的深厚积累,为客户提供高性能、高可靠性的产品,助力电子行业不断创新与发展。