SIHH070N60EF-T1GE3
SIHH070N60EF-T1GE3参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 系列 | EF |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 71毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±30V | 功率耗散（最大值） | 202W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 8 x 8 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 75nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2647pF @ 100V | 基本产品编号 | SIHH070 |
SIHH070N60EF-T1GE3手册
SIHH070N60EF-T1GE3概述
产品概述：SIHH070N60EF-T1GE3
一、基本信息
SIHH070N60EF-T1GE3 是由Vishay Siliconix制造的一款高性能N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），属于其EF系列。该器件采用表面贴装型封装（PowerPAK® 8 x 8），其主要应用于高电压和高电流的场景中，广泛用于开关电源、电机驱动，以及其他需要高效能功率开关的电子产品。
二、关键参数
电流承载能力：在25°C时，该MOSFET具有36A的连续漏极电流能力，这使得它非常适合高电流应用，包括电源转换和电机控制系统。
漏源电压：其漏源电压（Vdss）高达600V，能够满足许多高电压应用需求，提供了可靠的电源管理能力。
导通电阻：在10V的栅极驱动电压下，当漏极电流为15A时，其导通电阻（Rds(on)）最大值为71毫欧，极低的导通电阻可以显著减少在开关过程中产生的功耗，提升系统的能效。
栅极扳机电压：Vgs(th)的最大值为5V（@ 250μA），这意味着在较低的栅极电压下就能有效开启该MOSFET，简化了驱动电路的设计。
功率耗散：其功率耗散能力达到202W（Tc），在高温工作环境下仍可以保持良好的性能，提供长效运行保障。
工作温度范围：该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适应于严酷的环境条件，确保其在各种应用场合中的稳定性。
栅极电荷和输入电容：在10V的栅极驱动下，栅极电荷（Qg）最大值为75nC，而在100V时的输入电容（Ciss）为2647pF。这些参数对于快速开关操作至关重要，有助于缩短开关延时，提高开关频率。
三、应用场景
SIHH070N60EF-T1GE3 可广泛应用于以下领域：
开关电源：其高电压和高电流特性，非常适用于各种开关电源（SMPS）设计，能够提高电源效率，减小体积。
电机驱动：在电机控制应用中，该MOSFET作为开关元件能有效控制电机的启动、停止和速度调节，保障电机的高效运行。
DC-DC转换器：用于不同电压级别之间的能量转换，保证稳定的输出电压，适应多种负载变化。
电池管理系统：能够在电池充放电过程中提供高效的开关控制，为新一代电动车和储能系统提供持久的能量支持。
四、总结
总体而言，SIHH070N60EF-T1GE3 是一款具高可靠性、高功率密度及高效率的N通道MOSFET，它的出色性能使其成为多个高电压、高电流应用的优选器件。在选择功率开关器件时，其优异的技术参数和较大的应用灵活性，使其在现代电子电气行业中占据重要地位，能够为各类高效能应用提供强有力的支持。