SIHG47N60EF-GE3

SIHG47N60EF-GE3 产品概述

一、基本介绍

SIHG47N60EF-GE3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），适用于高电压和高电流应用。该器件的标称漏源电压为 600V，能够承受较高的电压和电流，广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动及其他功率管理系统中。

二、技术参数

1. FET 类型: N 通道 MOSFET
2. 漏源电压 (Vdss): 600V，为应用的电压上限，确保可以在高电压环境下安全稳定运行。
3. 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下，连续漏极电流可达 47A（Tc），适合高功率应用。
4. 导通电阻 (Rds On): 最大值为 67 毫欧（@ 24A, 10V），这使得 SIHG47N60EF-GE3 在低导通电阻下具有出色的效率，减少了功耗和发热。
5. 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 4V（@ 250µA），为栅极驱动提供了良好的控制特性。
6. 栅极电荷 (Qg): 最大值为 225nC（@ 10V），较低的栅极电荷使得开关速度更快，有助于提升开关频率。
7. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，适应多种恶劣环境，提供可靠性。
8. 功率耗散: 最大可达 379W（Tc），适合要求高功率处理的应用。
9. 封装: TO-247AC，便于散热和安装，适合高功率设计需求。
10. 输入电容 (Ciss): 最大值为 4854pF（@ 100V），较高的输入电容会对电路的高频性能产生一定影响，但整体性能仍具备良好的平衡性。

三、应用场景

SIHG47N60EF-GE3 的设计使其适用于多种工业应用，包括但不限于：

• 开关电源: 在电源转换过程中，该 MOSFET 的高效率和低导通电阻可以有效降低能量损耗。
• 逆变器: 包括太阳能逆变器和电动车逆变器，能够在高电压下稳定工作，确保能量的有效转换。
• 电机驱动: 高电流承载能力使其在各类电机控制应用中表现出色，提供稳定的输出和快速响应。
• 功率管理系统: 广泛适用于高效能电源管理，帮助优化能量使用率和延长系统寿命。

四、总结

总的来说，SIHG47N60EF-GE3 是一款兼具高电压、高电流、低导通电阻的N 通道 MOSFET，适用于要求严苛的工作环境，特别是在高功率电源转换和管理中表现出色。VISHAY 的优质制造工艺和严格的测试标准，确保了该器件的可靠性和稳定性，是设计工程师在选择功率管理和开关应用时的理想选择。

在选择和使用 SIHG47N60EF-GE3 时，用户应考虑系统的工作条件和实际需求，以期发挥出最佳的性能，并在相应的散热和驱动电压配置下操作，从而达到所期望的效果。