BSZ018N04LS6ATMA1
BSZ018N04LS6ATMA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | OptiMOS™ 6 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 27A（Ta），40A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8-FL | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2700pF @ 20V |
BSZ018N04LS6ATMA1手册
BSZ018N04LS6ATMA1概述
BSZ018N04LS6ATMA1 产品概述
产品简介
BSZ018N04LS6ATMA1 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，属于其 OptiMOS™ 6 系列。该系列的 MOSFET 产品以其高效能和高潜力的特性受到市场的广泛认可，特别适用于高功率应用及要求高效率的电源变换领域。这款 MOSFET 提供了出色的电流承载能力和低导通电阻，是现代电子设备中不可或缺的关键元器件。
主要特性
类型与封装：BSZ018N04LS6ATMA1 为 N 沟道 MOSFET，采用紧凑的 TSDSON-8FL 封装，适合表面贴装，便于集成至各种电路板设计中。
电流与功率：此器件在 25°C 工作环境下可以持续承载 27A 的漏极电流，在额外的冷却条件下其最大电流可提升至 40A。这种优异的电流承载能力使得其在高负载情况下的表现依然稳定，适合广泛的工业和消费电子应用。
电压与功率耗散：该 MOSFET 最大漏源电压（Vdss）为 40V，提供足够的电压承受能力以满足多种应用需求。其功率耗散能力为 2.5W （在环境温度 Ta 下）和高达 83W （在结温 Tc 下），显示出该元件在高功率操作下的优越性。
导通电阻和栅极电压：BSZ018N04LS6ATMA1 在 10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为 1.8 毫欧，在 20A 的工作电流下实现低损耗。这使得该 MOSFET 在高功率转换和开关应用中的能效更高。
工作温度范围：这款元器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 175°C，表明其在严苛环境条件下的可靠性。这一特性非常重要，对于需要高温或低温运行的应用，诸如汽车电子和工业设备中尤为合适。
电气特性：MOSFET 的栅极阈值电压 Vgs(th) 最大值为 2.3V，栅极电荷 (Qg) 在 10V 时的最大值为 31nC，输入电容（Ciss）最大值为 2700pF。这些参数保证了器件能在快速开关和高频应用中维持良好的性能。
应用场景
BSZ018N04LS6ATMA1 在多种应用场景中表现出色，包括但不限于：
- 开关电源：广泛用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器中，提供高效的能量转换。
- 电机控制：在电动机驱动系统中，MOSFET 的快速开关能力使得其能够高效地调控电机的转速和动力。
- 汽车电子：广泛应用于汽车电源管理系统、照明控制与电动助力转向系统中，承受高工作温度和电压波动。
- 消费电子：用于大功率设备如游戏机、高性能音响和其他智能家居设备中，增强其能效和功能表现。
总结
BSZ018N04LS6ATMA1 是一款结合了高电流承载能力、低导通电阻和广泛工作温度范围的 N 沟道 MOSFET，针对高功率和高效率应用进行了优化。其出色的电气特性和可靠性使其成为众多现代电子设计中不可或缺的配件。无论是在工业、消费电子还是汽车领域，这款器件都展现出了强大的功能和应用灵活性，为客户提供了理想的解决方案。通过选择 BSZ018N04LS6ATMA1，设计工程师能够更加轻松地实现高性能、低功耗的电源解决方案。