SQJ138EP-T1_GE3

产品概述: SQJ138EP-T1_GE3

概述

SQJ138EP-T1_GE3 是由 Vishay Siliconix 生产的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为汽车及其他高温、高功率应用而设计。作为 TrenchFET® Gen IV 系列的一部分，该产品采用现代的半导体技术，提供卓越的电流承载能力和低导通电阻，旨在满足严苛环境下的使用需求。SQJ138EP-T1_GE3 在封装方面采用了 PowerPAK® SO-8 设计，这种表面贴装型封装适合批量生产，便于集成到各种电子电路中。

主要规格

• 制造商: Vishay Siliconix
• 部件状态: 有源
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET
• 额定电流: 330A（在 25°C 时，Tc 汽缸温度）
• 漏源电压（Vdss）: 40V
• 工作温度范围: -55°C 到 175°C
• 导通电阻: 最大值 1.8 毫欧（在 15A 和 10V 时）
• 功率耗散（最大值）: 312W（Tc）
• 栅极驱动电压: 最大 Rds On 10V
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值 3.5V（在 250µA 时）
• 栅源电压（Vgs）最大值: ±20V
• 栅电荷（Qg）: 81nC（在 10V 时）
• 输入电容 (Ciss): 最大值 4715pF（在 25V 时）

应用领域

SQJ138EP-T1_GE3 的设计使其可以广泛应用于各种汽车领域，尤其是在电源管理和功率转换应用中，如 DC-DC 转换器、逆变器、电动汽车驱动控制等。此外，该 MOSFET 还适合用于工业自动化、消费电子和其他需要高效开关能力的应用场景。

性能优势

1. 高电流承载能力: 330A 的连续漏极电流表示该设备可以在较高的负载下运行而不失效。
2. 低导通电阻: 最大 1.8 毫欧的导通电阻意味着在操作时会产生较少的热量，有助于提高整体系统效率并降低散热设计的复杂性。
3. 宽工作温度范围: -55°C 到 175°C 的温度规格确保该器件能够在极端环境下稳定工作，适合严苛的汽车应用。
4. 高功率耗散能力: 最高可达 312W 的功率耗散能力使得该 MOSFET 能够处理大功率应用，增强了其灵活性。

典型应用电路

SQJ138EP-T1_GE3 可用于各种功率转换电路，如步进和降压 DC-DC 转换器、开关电源、逆变器等。在这些应用中，它能够有效地控制电流流动，减少能量损失，并提高系统的总体效率。

结论

SQJ138EP-T1_GE3 是一款性能优越且可靠的 N 沟道 MOSFET，通过其卓越的电流承载能力和低热特性，适用于多种高功率和高温环境。Vishay Siliconix 的此款产品彻底满足了当前对高效能电子元器件日益增长的需求，是汽车及工业应用中不可或缺的选择。