PMN30XPX
PMN30XPX参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 34 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 550mW（Ta），6.25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1575pF @ 10V |
PMN30XPX手册
PMN30XPX概述
PMN30XPX 产品概述
制造商: Nexperia USA Inc.
封装形式: TSOP-6（SOT-457）
产品类别: P沟道MOSFET
1. 产品背景
PMN30XPX是一款高性能的P沟道MOSFET，由知名的电子元器件制造商Nexperia USA Inc.生产。这款MOSFET采用了金属氧化物场效应管（MOSFET）技术，专为需要高电流和高电压控制的应用而设计。基于其良好的电气特性和宽广的工作温度范围，PMN30XPX广泛应用于各种电子设备中，如开关电源、马达驱动、音频放大器等。
2. 主要特性
漏极电流: 在室温（25°C）下能够持续承受高达5.2A的电流，这使其能够在许多高功率应用中保持高效稳定的工作状态。
导通电阻: 在不同的栅极源极电压（Vgs）下，PMN30XPX的导通电阻最大为34毫欧，确保低功耗操作，同时减少热量产生，提高整体效率。
栅极阈值电压: Vgs(th)的最大值为900mV，这使得PMN30XPX能够在较低的驱动电压下实现良好的开关性能。
工作电压: 该MOSFET的漏源电压（Vdss）最大可达20V，为电路设计提供了灵活性，同时确保了对过压情况的耐受能力。
功率耗散: 在环境温度下（Ta），该器件的最大功率耗散为550mW；而在更高级别的条件（Tc）下，其功率耗散能力达到了6.25W，显示了良好的热管理能力。
宽广温度范围: 工作温度范围涵盖-55°C到150°C，适合多种严苛的环境应用场景。
3. 电气特性
栅极电荷（Qg）: 在4.5V的驱动电压下，栅极电荷（Qg）最大值为23nC，这个较小的电荷量意味着开关速率快，有助于在高频应用中实现更高的效率。
输入电容（Ciss）: 在10V时，最大输入电容为1575pF，相较于同类产品，其输入阻抗较低，可以显示出良好的快速开关特性。
4. 应用场景
PMN30XPX P沟道MOSFET因其高电流能力，低导通电阻和良好的热管理特性，非常适合以下应用：
开关电源: 在开关电源的转换阶段，可用于控制能量的贡献与调节，从而增加能量的转换效率。
电动机驱动: 适用于涉及电动机控制的应用，在电压和电流变化时，PMN30XPX能够快速响应，保持马达工作的稳定性。
音频放大器: 用于提高音频放大器的性能，使其在负载变化时能够高效工作，降低失真率。
工业控制器: 在工业应用中，由于其宽温范围的特性，PMN30XPX能够在严酷的环境中持久工作，进行高压和高负载的控制。
5. 封装与安装
PMN30XPX采用TSOP-6 (SOT-457)封装，适合表面贴装（SMD），节省了PCB空间和提高了组装效率。其轻量和小型化的设计，对于现代电子设备中的紧凑设计要求具有良好的适应性。
6. 总结
PMN30XPX P沟道MOSFET是一个性能卓越、适应性强的器件，适合于各种需要稳压稳流及快速开关的电子应用。凭借其优越的电气特性和宽广的工作温度范围，PMN30XPX是现代电子设计中不可或缺的重要组件。