IRFH5250TRPBF
IRFH5250TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 45A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.15 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 150µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7174pF @ 13V |
| 功率耗散（最大值） | 3.6W（Ta），160W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
IRFH5250TRPBF手册
IRFH5250TRPBF概述
产品概述：IRFH5250TRPBF N沟道MOSFET
一、概述
IRFH5250TRPBF是一款高性能N沟道MOSFET，专为各类电子应用设计，尤其适用于需要高功率和高效率的电源管理和电子开关电路。其出色的电气特性和热管理能力使得它在广泛的工作环境中表现出优异的性能，非常适合在现代电子设备中使用。
二、基础参数
此MOSFET的主要电气参数包括：
- 漏源电压（Vdss）: 25V
- 连续漏极电流（Id）:
- 45A（在主板环境下，环境温度为25°C时）
- 100A（在冷却有效的情况下，Tc=25°C）
- 最大导通电阻（Rds(on)）: 1.15毫欧（在Id = 50A，Vgs = 10V时）
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为2.35V（在150µA时）
- 栅极电荷（Qg）: 110nC（在Vgs = 10V时）
- 最大功率耗散: 3.6W（在环境温度下），160W（在限制温度下）
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
三、封装及安装
IRFH5250TRPBF采用8-PQFN（5x6）表面贴装封装设计，便于在各种PCB设计中的安装与集成。其小巧的外形和紧凑的排列使其成为高密度电路设计的理想选择。PQFN封装不仅具有优良的热管理能力，还提供了良好的电气性能，确保在高频应用中的可靠性。
四、电气特性
IRFH5250TRPBF具备极低的导通电阻，能够显著降低能量损耗，提高系统的整体效率。这使得该MOSFET特别适用于高性能直流-直流转换器（DC-DC Converter）、电机驱动器和高频开关电源等应用。其低电压操控能力使得设计人员能够在更广泛的电压和电流范围内操作，从而设计出更安全、更高效的电路。
五、应用场景
该MOSFET可广泛应用于以下领域：
电源管理：适用于各类电源转换器，包括但不限于开关电源和线性电源，IRFH5250TRPBF能够有效提升转换效率，减小热量积聚。
电机控制：在电机解决方案中，该MOSFET可被用于功率开关，提高电机的工作性能以及响应速度。
通信设备：在高频无线通信设备中，IRFH5250TRPBF的低输入电容（Ciss = 7174pF @ 13V）可提供更快的开关响应，有助于实现更高的数据传输速率。
消费电子：在便携式设备和消费类电子产品中，该MOSFET可用于电池管理系统，延长电池寿命并提高充电效率。
六、总结
IRFH5250TRPBF是一款性能卓越、应用广泛的N沟道MOSFET，以其优秀的电气特性和热管理能力，成为高效电源管理和电机控制系统的关键驱动器。无论是在工业设备、消费电子还是高频通信领域，该MOSFET都能够提供可靠且高效的解决方案，是设计工程师在选择电子元器件时值得考虑的重要选择。