PMPB33XP,115
PMPB33XP,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 37 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 1.7W（Ta），12.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN2020MD-6 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1575pF @ 10V |
PMPB33XP,115手册
PMPB33XP,115概述
PMPB33XP,115 产品概述
1. 概述
PMPB33XP,115 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的 P 通道 MOSFET（场效应管），广泛应用于电源管理、负载开关及电机控制等领域。凭借其低导通电阻、宽广的工作温度范围以及高功率处理能力，该器件提供了出色的性能和可靠性。其小巧的 DFN2020MD-6 封装使其非常适合于空间受限的电子设备中。
2. 主要参数
额定电压和电流：PMPB33XP,115 的漏源电压（Vdss）为20V，最大连续漏极电流（Id）为5.5A（在25°C时）。这使得该MOSFET能够在多个应用场景中，承受较高的负载电流和电压。
导通电阻：该器件在 Vgs 为 4.5V 时，具有最大导通电阻（Rds(on)）为 37 毫欧。这一低值确保了器件在开关操作时的能量损失最小化，从而提升整体能效。
阈值电压：器件的 Vgs(th) 最大值为 900mV @ 250µA，确保了在低电压驱动下即可进行有效的开关操作。
工作温度范围：PMBP33XP,115 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，提供了良好的适应性，可在极端环境下运行，适合汽车电子、航空航天及工业应用。
功率耗散：在环境温度25°C下，该器件的最大功率耗散为1.7W，而在设备温度（Tc）情况下可达到12.5W，这为较大功率应用提供了支持。
3. 驱动特性
为保证 MOSFET 的高效运行，PMPB33XP,115 在驱动电压方面表现出色。在 1.8V 及 4.5V 驱动下均能保持良好的工作状态。同时，该器件的栅极电荷（Qg）最大值为23nC，适合快速开关应用，能大幅度提升开关频率的性能。
4. 应用领域
PMPB33XP,115 被广泛应用于以下领域：
电源管理：由于其低导通电阻和高功率处理能力，该器件常用于高效的直流-直流转换器、LED 驱动电源及电池管理系统。
负载开关：能够在小型化设计中轻松控制大电流的操作，常用于各类消费电子产品及智能家居设备。
电机驱动：此器件在控制直流电机及步进电机方面提供了精确的开关控制，适合于工业自动化及家电产品。
5. 封装与安装
PMPB33XP,115 采用了6-UDFN（裸露焊盘）封装，具有良好的热管理特性，适合表面贴装技术（SMT）应用。该封装设计不仅减小了On-board面积，还通过裸露焊盘提供了更好的散热解决方案，从而提升了整体器件的热性能。
结论
总的来说，PMPB33XP,115 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，拥有出色的电流、电压和功率特性，适用于多种要求高驱动能力的电子应用。其小型化设计、宽广的工作温度范围和低导通电阻使其成为高效电源管理与负载开关解决方案的理想选择。无论是在消费电子，还是工业环境中，PMPB33XP,115 都彰显了 Nexperia 在 MOSFET 领域的可靠性和技术先进性。