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PMCM6501UNEZ
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
WLCSP-6
包装 :
-
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 400mW 20V 8.7A 1个N沟道 WLCSP-6(1x1.5)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.14按整 :
-(1-有4500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.14
--
100+
￥1.81
--
500+
￥1.68
--
2250+
￥1.6
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述
PMCM6501UNEZ参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 0.9V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-WLCSP（1.48x.98） |
| 封装/外壳 | 6-XFBGA，WLCSP | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.2nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 105pF @ 10V |
PMCM6501UNEZ手册
无数据
PMCM6501UNEZ概述
PMCM6501UNEZ 产品概述
基本信息
PMCM6501UNEZ 是一种高性能 N 通道 MOSFET 器件，由 Nexperia USA Inc. 生产，采用卷带（TR）包装形式。作为一款有源元器件，该 MOSFET 适用于广泛的电源管理和开关应用，尤其在需要高效能和稳健性能的电子设备中表现突出。
关键性能参数
- 漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，PMCM6501UNEZ 可承受高达 8.7A 的连续漏极电流。这使得其在需要高电流驱动的场景中表现优异。
- 漏源电压 (Vdss): 该元器件的最大漏源电压为 20V，能够满足许多低压应用的需求。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在 4.5V 的驱动电压下，导通电阻的最大值为 21 毫欧，在 3A 的电流条件下表现卓越。这极低的导通电阻有助于降低功耗，提高系统效率。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的条件下，阈值电压的最大值为 0.9V。这意味着器件在较低的栅极驱动电压下即可迅速开启，增加了设计的灵活性。
驱动特性
PMCM6501UNEZ 支持多种驱动电压，分别为最小 1.5V 和最大 4.5V，为设计人员提供了更多的选择。其栅极电荷 (Qg) 在 4.5V 驱动下的最大值为 6.2nC，确保其在高频开关应用中具有迅速的开关响应，减少了开关损耗，适合用于负载驱动和电源转换等场合。
电气保护及工作条件
- 功率耗散 (Pd): 该 MOSFET 的最大功率耗散为 400mW，适合在低功率环境中使用。
- 工作温度 (TJ): 最高工作温度为 150°C，使其在高温环境中也能稳定运行，增加了其在严苛条件下的适用性。
- 栅极至源极电压 (Vgs): 最大 Vgs 为 ±8V，确保了在不同工作条件下的安全性及可靠性。
封装及安装
利用 WLCSP-6（6-XFBGA 封装）技术制造，PMCM6501UNEZ 的尺寸为 1.48mm x 0.98mm，适合于表面贴装，适应于现代紧凑型和高密度电路板设计，特别适合移动设备与小型消费电子产品。
应用领域
PMCM6501UNEZ 的设计使其适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理: 在 DC-DC 转换器和线性稳压器中，可以有效控制输出电压和电流。
- 电机驱动: 适合于驱动直流电机和步进电机，提供稳定的开关控制。
- 负载开关: 可用于高效控制电力分配，迅速开关不同的负载，以改善系统效率。
- 消费电子: 由于其小型化封装，高性能特性，使其适合在智能手机、平板电脑等设备中广泛应用。
总结
PMCM6501UNEZ 作为一款高效能的 N 通道 MOSFET，其卓越的电气属性和小巧的封装尺寸使其成为电子设备中电源管理和开关控制的理想选择。不论是在恒定电流应用还是动态负载开关中，其优越的性能都能够满足现代电子设计的需求，充分体现了 Nexperia 作为领导者在半导体领域的技术实力和市场影响力。