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BUK9Y3R5-40E,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
LFPAK56，Power-SO8
包装 :
-
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 167W 40V 100A 1个N沟道 LFPAK56,Power-SO8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
11.56按整 :
-(1-有1500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥11.56
--
100+
￥9.97
--
750+
￥9.49
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述
BUK9Y3R5-40E,115参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30.2nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5137pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 167W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
BUK9Y3R5-40E,115手册
无数据
BUK9Y3R5-40E,115概述
产品概述：BUK9Y3R5-40E,115
BUK9Y3R5-40E,115 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，特别设计用于要求严格的功率控制和开关应用。作为安世（Nexperia）品牌的一部分，该器件凭借其优异的电气性能和出色的热管理能力，非常适合在多种工业和消费电子产品中使用。以下是该产品的详细介绍，包括其技术规格、应用领域以及优势。
技术规格
BUK9Y3R5-40E,115 的主要技术参数包括：
- 类型: N 通道 MOSFET
- 封装: LFPAK56，Power-SO8
- 漏源电压（Vdss）: 40V
- 连续漏极电流（Id）: 100A（Tc）
- 驱动电压: 最小值为5V，最大值为±10V
- 导通电阻（Rds On）: 最大值为3.6毫欧，在25A和10V下
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值2.1V @ 1mA
- 栅极电荷（Qg）: 最大值30.2nC @ 5V
- 输入电容（Ciss）: 最大值5137pF @ 25V
- 功率耗散: 最大167W（Tc）
- 工作温度范围: -55°C 到 175°C（TJ）
应用领域
BUK9Y3R5-40E,115 主要用于以下几个领域：
- 电力管理: 由于其高效率的导通电阻和大功率耗散能力，该MOSFET非常适合用于电力转换设备，例如DC-DC转换器。
- 电机驱动: 在大型电机控制和驱动电路中，其能够承受高漏电流，为各种类型的电机提供可靠的控制。
- 开关电源: 适合用于开关电源电路设计，其快速开关特性可以有效降低开关损耗，从而提高整体效率。
- 工业应用: 由于其高耐温性，使其在恶劣环境下仍可正常工作，广泛应用于工业控制领域。
性能优势
BUK9Y3R5-40E,115 具有多个显著的性能优势：
- 低导通电阻: 在高电流下，保持低导通电阻能够减小功率损耗，提升电路效率。
- 宽工作温度范围: 从-55°C 到 175°C 的广泛温度范围，确保该器件在极端环境下依然稳定工作。
- 优秀的开关性能: 具备快速的开关特性，降低了开关过程中产生的热量，提高了整体系统的稳定性。
- 良好的热管理: 最大功率耗散可达167W，表明器件具备强大的热管理能力，适合高功率应用。
结论
综上所述，BUK9Y3R5-40E,115 是一款出色的 N 通道 MOSFET，凭借其高性能规格和广泛的应用领域，成为电力电子设计中不可或缺的组件。无论是在电力管理、开关电源还是电机驱动应用中，该器件均能提供稳定和高效的表现。安世（Nexperia）作为供应商，通过长期的技术积累和成熟的制造工艺，为客户提供可靠的解决方案，助力场效应管技术在各行业中的持续发展与应用。