PMPB10XNE,115
PMPB10XNE,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 毫欧 @ 9A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 1.7W（Ta），12.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN2020MD-6 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2175pF @ 10V |
PMPB10XNE,115手册
PMPB10XNE,115概述
PMPB10XNE,115 产品概述
一、基本信息
PMPB10XNE,115 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的 N 通道 MOSFET，其设计主要用于高效的电源管理及开关应用。该元器件采用 DFN-2020MD-6 表面贴装封装，具有较小的占板面积，非常适合于空间受限的电子设备中。该 MOSFET 以其优良的电气性能、良好的热管理特性和高度的可靠性，能够满足现代电子设计对高效、高功率密度的要求。
二、主要参数
电流 - 连续漏极 (Id): 该器件在 25°C 时的最大连续漏极电流可达 9A，这保证了在应用中能够承受较大的负载处理能力。
导通电阻 (Rds(on)): 在 4.5V 的栅极驱动电压下，该元件的导通电阻最大值为 14 毫欧，低导通电阻有效降低了通道的功耗，使其在开关状态下表现出优良的高效性，适合于高频率切换应用。
漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的漏源电压额定值为 20V，确保其在多种电源电压条件下稳定工作。
栅极驱动电压 (Vgs): 其栅极驱动电压的范围为 ±12V，适应多种电路设计中的驱动需求。低阈值电压 Vgs(th) 最大值为 700mV，支持更高的开关效率。
热特性: 该器件的最大功率耗散可达 1.7W（环境温度 Ta）及 12.5W（结温 Tc），工作温度范围宽广（-55°C ~ 150°C），使其在极端环境下还能够保持良好的性能稳定性。
三、技术规格
PMPB10XNE,115 采用金属氧化物场效应管（MOSFET）技术，具有以下主要技术指标：
栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 下的栅极电荷最大值为 34nC，较低的栅极电荷保证了较快的开关响应时间，提高了整体电路的效率。
输入电容 (Ciss): 在 10V 时的输入电容最大值为 2175pF，该输入电容的设计使得开关速度更快，适合于高频应用。
驱动电压: 依托于 1.8V 和 4.5V 不同驱动电压，该器件能够实现不同的性能表现，为工程师提供了设计自由度。
四、应用场景
PMPB10XNE,115 适用于众多电气和电子应用，包括但不限于：
开关电源: 高效能 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、逆变器等电源转换电路，提高能量传输效率并降低热损耗。
电池管理系统: 在电池充放电管理中，作为开关控制器，可优化电池的使用寿命。
电机驱动: 适用于电机控制电路，提供准确的开关控制，提升电机驱动效率。
消费电子产品: 适合小型家电、智能穿戴设备等需要高功率密度和节能高效的设备。
通讯设备: 在基站及其他通讯设备中，保证信号的高效处理和传输。
五、封装及可靠性
采用 DFN-2020MD-6 裸露焊盘封装，PMPB10XNE,115 在散热性能、焊接等特性上具备极佳的表现。这种设计不仅简化了生产工艺，也提高了产品的可靠性和一致性，适合于批量生产需求。
整体而言，PMPB10XNE,115 的技术参数与性能特点使其成为现代电子设计中不可或缺的高性能 MOSFET 解决方案。无论是在电源管理、电机控制，还是在消费电子和通讯领域，该器件都能提供出色的性能，为设计师和工程师的创意提供了强有力的支持和保障。