注：图像仅供参考，请参阅产品规格
PMPB20ENZ
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
DFN-2020MD-6
包装 :
-
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.7W；12.5W 30V 7.2A 1个N沟道 DFN2020-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.95按整 :
-(1-有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.95
--
50+
￥0.731
--
1500+
￥0.664
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
PMPB20ENZ参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19.5 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.7W（Ta），12.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN2020MD-6 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.8nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 435pF @ 10V |
PMPB20ENZ手册
无数据
PMPB20ENZ概述
PMPB20ENZ 产品概述
产品简介
PMPB20ENZ 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高效能 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。该元器件采用先进的表面贴装型设计，封装形式为 DFN2020MD-6，适用于各种电子电路中，从电源管理到信号调节，再到负载开关，具备极高的应用灵活性和高效能转换。
核心参数
- 电流能力: PMPB20ENZ 在 25°C 的环境温度下具有 7.2A 的连续漏极电流能力，使其在许多应用场景下能够提供稳定的电流输出。
- 导通电阻: 在 10V 的栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）最大值为 19.5mΩ @7A，这意味着该MOSFET 在工作时具有较小的功耗和高效率，适合高效能的电源设计。
- 电压规格: 此款MOSFET的漏源电压（Vdss）最大为 30V，适合于中等电压应用。
- 驱动电压: PMPB20ENZ 在 4.5V 和 10V 驱动电压下工作良好。此特性使得它能够与多种驱动电路完美配合，进一步扩展其应用范围。
额外特性
- Vgs(th)特性: 最大 Vgs(th) 值为 2V @ 250µA，确保其在合理驱动条件下能迅速导通，适合低电压控制电路。
- 电气特性: 该产品在最大 Vgs 为 ±20V 的条件下工作，提供更强的灵活性，适合高压驱动和控制逻辑。
- 功率耗散: PMPB20ENZ 的最大功率耗散能力为 1.7W（在环境温度 Ta 下）和 12.5W（在结温 Tc 下）。这种高功率处理能力使得它在高温和高功率应用中也能稳定工作。
- 工作温度范围: 该MOSFET 的工作温度范围为 -55°C ~ 150°C，适合在恶劣环境下稳定运行，特别适用于汽车电子、工业控制和航空航天等高要求领域。
应用领域
PMPB20ENZ 的高性能特性使其在多个行业和领域都具备广泛的应用潜力，主要包括：
- 电源管理: 在开关电源、DC-DC 转换器等设备中，PMB20ENZ 能够作为开关元件，提供高效的能量转换和控制。
- 电机驱动: 在电动机控制及驱动系统中，可以通过调节MOSFET实现精确的电流控制，确保电动机的高效运行。
- 负载开关: 能够有效控制电流输送，常用于负载切换、开关电源模块及LED驱动。
- 充电器和适配器: PMPB20ENZ 也适合用于各类充电设备中，特别是在需具高效能和高电压操作的场合。
结论
综上所述，PMPB20ENZ 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET，具备稳定的工作电流、高效能的导通电阻、广泛的适用电压范围及优良的热管理能力。其多样的应用场景和卓越的电气特性使其成为从事电子设计和制造行业中的理想选择。不论是新产品开发还是现有产品的升级，PMPB20ENZ 都是一个值得考虑的高品质解决方案。