FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8.5 毫欧 @ 15A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 21.8nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1439pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 53W | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-1205,8-LFPAK56 |
供应商器件封装 | LFPAK56D |
BUK7K8R7-40EX是Nexperia(安世)公司所生产的一款高性能N沟道场效应管(MOSFET)。该器件主要应用于电源管理与转换、开关供电、马达驱动等领域,因其出色的电气特性和广泛的工作温度范围,使其成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。
BUK7K8R7-40EX的电气性能在各类应用中表现突出。最大漏源电压为40V,允许在高压场合中安全运行。其功率处理能力高达53W,以及在25°C时连续漏极电流为30A,使其能够处理大功率应用而不易损坏或过热。此外,器件的导通电阻(Rds(on))为8.5毫欧,意味着在导通状态下的能量损耗低,从而提高了系统的整体效率。
器件的栅极阈值电压(Vgs(th))为4V,适用于逻辑电平驱动,这使得BUK7K8R7-40EX可以直接与微控制器等数字电路相连接,简化了电路设计。其栅极电荷(Qg)为21.8nC,表明其开关速度较快,有助于提升整个电路的响应速度。
BUK7K8R7-40EX具有优异的热稳定性,其工作温度范围达到-55°C至175°C,这使得该器件可在极端环境下正常工作,非常适合高温或低温的工业应用。
BUK7K8R7-40EX采用LFPAK56D封装,属于表面贴装型(SMD),具有优良的散热性能。这种封装设计小巧且易于在自动化生产线上快速安装,适用于高密度组装的现代电子产品。
BUK7K8R7-40EX能广泛应用于多个领域,包括但不限于:
作为一款高性能的双N-通道MOSFET,BUK7K8R7-40EX凭借其优异的电气特性、广泛的工作温度范围以及紧凑的封装设计,成为各种电子设计中的理想选择。这款MOSFET不仅能有效提升电子设备的能效,还有助于提高系统的整体可靠性和稳定性,满足现代电子设计对高性能元件的需求。