制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 100mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-101,SOT-883 | 供应商器件封装 | DFN1006-3 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
功率 - 最大值 | 250mW | 基本产品编号 | PDTA123 |
PDTA123JM,315 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款数字PNP晶体管,具有预偏置特性,适用于各种低功耗电子应用。该元器件采用了高效的表面贴装型设计,封装类型为 SOT-883(DFN1006-3),其紧凑型结构能够有效节省电路板空间,同时提高产品的整体可靠性和性能。
PDTA123JM,315 具有广泛的应用场景,特别是在数字电路、开关电源、音频放大器及信号调节电路中。由于其具有的预偏置特性,该晶体管可在较小的信号转换中实现可靠开关操作,适合多种微控制器的接口设计和逻辑电平转换应用。它也常用于驱动小型负载,如LED灯和继电器等。
在使用PDTA123JM,315时,需要关注其基极、发射极和集电极的连接方式。基于其特性,合理选择基极电阻(R1 = 2.2 kOhms)和发射极电阻(R2 = 47 kOhms),可以保证该晶体管在不同操作条件下仍然能保持良好的性能。此外,设计时应注意避免超过其最大额定值,尤其是在高频率或高负载条件下,以确保晶体管的稳定和可靠性。
PDTA123JM,315在设计和材料的选择上,具备一定的竞争优势。Nexperia作为知名制造商,提供的质量认证和可靠性测试使得该元器件在市场上的口碑极佳。此外,其紧凑的封装和优越的电气特性使得PDTA123JM,315在现代电子设计中迅速获得了广泛的应用。
通过对PDTA123JM,315的深入了解,可以看出它是一款高性能、功能丰富的PNP晶体管,能够应对当前多变的市场需求和多样化的应用场景。对于电子工程师而言,它不仅是一个理想的组件,更是实现复杂电路设计中不可或缺的一部分。无论是用于教育还是商业用途,PDTA123JM,315都能提供基础而稳定的支持。